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资料编号:1128739
 
资料名称:APM3055LU
 
文件大小: 485K
   
说明
 
介绍:
N-Channel Enhancement Mode MOSFET
 
 


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Copyright
一个NPECElectronicsCorp.
Rev.B.3-Oct.,2005
一个PM3055LU
www.一个npec.com.tw
8
t 25c 至 顶峰
tp
ramp-向上
t
L
ramp-向下
ts
Preheat
Tsmax
Tsmin
T
L
T
P
25
温度
时间
核心的 zone
T
L
至 t
P
°
Physic一个lSpecific一个tions
Terminal 材料 焊盘-镀有 铜 (焊盘 材料 : 90/10 或者 63/37 snpb), 100%sn
含铅的 可焊性 满足 eia 规格 rsi86-91, ansi/j-标准-002 类别 3.
ReflowCondition
(IR/CvectiorVPRReflow)
Cl一个ssific一个tionReflowProfiles
profile 特性 Sn-铅 eutectic 组装 -自由 组装
平均 ramp-向上 比率
(t
L
至 t
P
)
3
°
c/第二 最大值 3
°
c/第二 最大值
Preheat
-
温度 最小值 (tsmin)
-
温度 最大值 (tsmax)
-
时间 (最小值 至 最大值)(ts)
100
°
C
150
°
C
60-120 秒
150
°
C
200
°
C
60-180 秒
时间 maintained 在之上:
-
温度(t
L
)
-
时间 (t
L
)
183
°
C
60-150 秒
217
°
C
60-150 秒
顶峰/classificatioon温度(tp) 看 表格 1 看 表格 2
时间 在里面 5
°
c 的 真实的
顶峰 温度(tp)
10-30 秒 20-40 秒
Ramp-向下 比率
6
°
c/second 最大值 6
°
c/第二 最大值
时间 25
°
c 至 顶峰 温度
6 分钟 最大值 8 分钟 最大值
注释: 所有 温度 谈及 至 topside 的 这 包装 .量过的 在 这 身体 表面.
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