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资料编号:1128739
 
资料名称:APM3055LU
 
文件大小: 485K
   
说明
 
介绍:
N-Channel Enhancement Mode MOSFET
 
 


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Copyright
一个NPECElectronicsCorp.
Rev.B.3-Oct.,2005
一个PM3055LU
www.一个npec.com.tw
9
表格 2. 铅-自由 处理包装 分类 软熔焊接 温度
包装 厚度 容积 mm
3
<350
容积 mm
3
350-2000
容积 mm
3
>2000
<1.6 mm
260 +0
°
C* 260 +0
°
C* 260 +0
°
C*
1.6 mm 2.5 mm
260 +0
°
C* 250 +0
°
C* 245 +0
°
C*
2.5 mm 250 +0
°
C* 245 +0
°
C* 245 +0
°
C*
*tolerance: 这 设备 生产者/供应者
将要
使确信 处理 兼容性 向上 至 和
包含 这 陈述 分类 温度 (这个 意思 顶峰 软熔焊接 温度 +0
°
c.
为 例子 260
°
C+0
°
c) 在 这 评估 msl 水平的.
测试 item 方法 描述
可焊性 MIL-标准-883D-2003
245
°
c, 5 秒
HOLT MIL-标准-883D-1005.7
1000 hrs 偏差 @125
°
C
PCT JESD-22-b,a102
168 hrs, 100
%
rh, 121
°
C
TST MIL-标准-883D-1011.9
-65
°
C~150
°
c, 200 循环
C一个rrierT一个pe
t
Ao
E
W
Po
P
Ko
Bo
D1
D
F
P1
Reli一个bilityTestProgr一个m
表格 1. snpb entectic 处理 包装 顶峰 软熔焊接 温度s
包装 厚度 容积 mm
3
<350
容积 mm
3
350
<2.5 mm
240 +0/-5
°
C 225 +0/-5
°
C
2.5 mm 225 +0/-5
°
C 225 +0/-5
°
C
Cl一个ssific一个tionReflowProfiles(Cont.)
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