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资料编号:1131221
 
资料名称:ADG849
 
文件大小: 908K
   
说明
 
介绍:
3 V/5 V CMOS 0.5 Ω SPDT/2:1 Mux in SC70
 
 


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ADG849
rev. 0| 页 3 的 12
规格
表格 1. v
DD
= 4.5 v 至 5.5 v, 地 = 0 v
1
参数 +25°c
–40°c 至
+85°C
–40°c 至
+125°C
单位 测试 情况/comments
相似物 转变
相似物 信号 范围 0 v 至 v
DD
V
在-阻抗 (r
) 0.5
Ω 典型值
V
S
= 0 v 至 v
DD
, i
DS
=
100 毫安
0.6 0.7 0.8 Ω 最大值 看 图示 15
在-阻抗 相一致 在 途径
(r
)
0.05
Ω 典型值
V
S
= 0.85 v, i
DS
=
100 毫安
0.095 0.11 0.125 Ω 最大值
在-阻抗 flatness (r
flat(在)
) 0.13 Ω 典型值
V
S
= 0 v 至 v
DD
, i
DS
=
100 毫安
0.18 0.22 0.24 Ω 最大值
泄漏 电流 V
DD
= 5.5 v
源 止 泄漏, i
S
(止) ±0.01 na 典型值
V
S
= 4.5 v/1 v, v
D
= 1 v/4.5 v,
看 图示 16
频道 在 泄漏, i
D
, i
S
(在) ±0.04 na 典型值
V
S
= v
D
= 1 v, 或者 v
S
= v
D
= 4.5 v,
看 图示 17
数字的 输入
输入 高 电压, v
INH
2.0 v 最小值
输入 低 电压, v
INL
0.8 v 最大值
输入 电流
I
INL
或者 i
INH
0.005 µa 典型值 V
= v
INL
或者 v
INH
±0.1 µa 最大值
C
, 数字的 输入 电容 2.5 pf 典型值
动态 特性
2
t
11 ns 典型值 r
L
= 50 Ω, c
L
= 35 pf
15 17 18 ns 最大值 v
S
= 3 v, 看 图示 18
t
9 ns 典型值 r
L
= 50 Ω, c
L
= 35 pf
13 14 15 ns 最大值 v
S
= 3 v, 看 图示 18
破裂-在之前-制造 时间 延迟, t
BBM
5 ns 典型值
R
L
= 50 Ω, c
L
= 35 pf, v
S1
= v
S2
= 3 v,
看 图示 19
1 ns 最小值
承担 injection 50 pc 典型值 V
S
= 0 v, r
S
= 0 Ω, c
L
= 1 nf, 看 图示 20
止 分开 –64 db 典型值
R
L
= 50 Ω, c
L
= 5 pf, f = 100 khz
看 图示 21
频道-至-频道 串扰 –64 db 典型值 R
L
= 50 Ω, c
L
= 5 pf, f = 100 khz,
看 图示 22
带宽: –3 db 38 mhz 典型值 R
L
= 50 Ω, c
L
= 5 pf, 看 图示 23
嵌入 丧失 0.04 db 典型值 R
L
= 50 Ω, c
L
= 5 pf, 看 图示 23
thd + n 0.01 %
R
L
= 32 Ω, f = 20 hz 至 20 khz,
vs = 2 v p-p
C
S
(止) 52 pf 典型值
C
D
, c
S
(在) 145 pf 典型值
电源 (所需的)东西 V
DD
= 5.5 v, 数字的 输入 = 0 v 或者 5.5 v
I
DD
0.001 µa 典型值
1.0 µa 最大值
1
这 温度 范围 为 这 y版本 是 –40°c 至 +125°c.
2
有保证的 用 设计, 不 主题 至 生产 测试.
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