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资料编号:1131931
 
资料名称:GT60N321
 
文件大小: 266.82K
   
说明
 
介绍:
TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 60A I(C) | TO-264AA
 
 


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GT60N321
2000-04-27 2/5
电的 特性
(ta
=
==
=
25°c)
典型的 标识测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
门 泄漏 电流 I
GES
V
GE
=
±
25 v, v
CE
=
0
±
500 na
集电级 截-止 电流 I
CES
V
CE
=
1000 v, v
GE
=
0
1.0 毫安
门-发射级 截-止 电压 V
ge (止)
I
C
=
60 毫安, v
CE
=
5 v 3.0
6.0 V
集电级-发射级 饱和 电压 V
ce (sat)
(1) I
C
=
10 一个, v
GE
=
15 v
1.6 2.3 V
集电级-发射级 饱和 电压 V
ce (sat)
(2) I
C
=
60 一个, v
GE
=
15 v
2.3 2.8 V
输入 电容 C
ies
V
CE
=
10 v, v
GE
=
0, f
=
1 mhz
4000
pF
上升 时间 t
r
0.23
转变-在 时间 t
0.33
下降 时间 t
f
0.25 0.40
切换 时间
转变-止 时间 t
0.70
µ
s
发射级-集电级 向前 电压 V
ECF
I
EC
=
15 一个, v
GE
=
0
1.5 2.0 V
反转 恢复 时间 t
rr
I
F
=
15 一个, v
GE
=
0, di/dt
=
20 一个/
µ
s
0.8 2.5
µ
s
热的 阻抗 R
th(j-c)
0.74 °c/w
热的 阻抗 R
th(j-c)
4.0 °c/w
15 v
15 v
0
51
600 v
10
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