关于我们
收藏本站
首页
|
最新需求
|
最新现货
|
IC库存
|
供应商
|
IC英文资料库
|
IC中文资料库
|
IC价格
|
电路图 |
应用资料
|
技术资料
IC型号:
您现在的位置:首页 > IC英文资料库
进入
手机版
资料编号:1131931
资料名称:
GT60N321
文件大小: 266.82K
说明
:
介绍
:
TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 60A I(C) | TO-264AA
: 点此下载
1
2
3
4
5
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
GT60N321
2000-04-27 5/5
脉冲波 宽度 t
w
(s)
R
th (t)
– t
w
瞬时 热的 阻抗
R
th (t)
(°c/w)
集电级-发射级 向前 电压
V
ECF
(v)
反转 恢复 时间
t
rr
(
µ
s)
发射级-集电级 向前 电流
I
ECF
(一个)
I
rr
, t
rr
– i
ECF
顶峰 反转 恢复 电流
I
rr
(一个)
反转 恢复 时间
t
rr
(
µ
s)
di/dt (一个/
µ
s)
100
80
60
40
20
0
0.0 0.5 1.0 1.5
2.0
2.5
Tc
=
125°C
25
−
40
10
9
8
7
6
5
0
20 40 60
80
100
一般 发射级
di/dt
=
−
20 一个/
µ
s
Tc
=
25°C
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
I
rr
t
rr
I
rr
, t
rr
– di/dt
I
ECF
– v
ECF
发射级-集电级 向前 电流
I
ECF
(一个)
一般
集电级
10
−
3
10
−
5
10
−
2
10
−
1
10
0
10
1
10
2
10
3
10
−
4
10
−
3
10
−
2
10
−
1
10
0
10
1
10
2
igbt 平台
二极管 平台
Tc
=
25°C
顶峰 反转 恢复 电流
I
rr
(一个)
50
40
30
20
10
0
0 50 100 150
200
250
一般 发射级
I
ECF
=
60 一个
Tc
=
25°C
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
t
rr
资料评论区
:
点击
回复
标题
作者
最后回复时间
标 题:
内 容:
用户名:
手机号:
(*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)
关于我们
|
联系我们
电 话
:
13410210660
QQ :
84325569
联系方式:
E-mail:CaiZH01@163.com