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资料编号:1131931
 
资料名称:GT60N321
 
文件大小: 266.82K
   
说明
 
介绍:
TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 60A I(C) | TO-264AA
 
 


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GT60N321
2000-04-27 5/5
脉冲波 宽度 t
w
(s)
R
th (t)
– t
w
瞬时 热的 阻抗
R
th (t)
(°c/w)
集电级-发射级 向前 电压
V
ECF
(v)
反转 恢复 时间 t
rr
(
µ
s)
发射级-集电级 向前 电流
I
ECF
(一个)
I
rr
, t
rr
– i
ECF
顶峰 反转 恢复 电流
I
rr
(一个)
反转 恢复 时间 t
rr
(
µ
s)
di/dt (一个/
µ
s)
100
80
60
40
20
0
0.0 0.5 1.0 1.52.0 2.5
Tc
=
125°C
25
40
10
9
8
7
6
5
0 20 40 6080 100
一般 发射级
di/dt
=
20 一个/
µ
s
Tc
=
25°C
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
I
rr
t
rr
I
rr
, t
rr
– di/dt
I
ECF
– v
ECF
发射级-集电级 向前 电流
I
ECF
(一个)
一般
集电级
10
3
10
5
10
2
10
1
10
0
10
1
10
2
10
3
10
4
10
3
10
2
10
1
10
0
10
1
10
2
igbt 平台
二极管 平台
Tc
=
25°C
顶峰 反转 恢复 电流
I
rr
(一个)
50
40
30
20
10
0
0 50 100 150200 250
一般 发射级
I
ECF
=
60 一个
Tc
=
25°C
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
t
rr
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