tps1100, tps1100y
单独的 p-频道 增强-模式 mosfets
slvs078c – 12月 1993 – 修订 8月 1995
9
邮递 办公室 盒 655303
•
达拉斯市, 德州 75265
热的 信息
– 1
– 0.1
– 0.001
– 10
– 0.1 – 1 – 10 – 100
– 流 电流 – 一个
流 电流
vs
流-至-源 电压
I
D
V
DS
– 流-至-源 电压 – v
0.001 s
0.01 s
0.1 s
1 s
10 s
直流
T
J
= 150
°
C
T
一个
= 25
°
C
单独的 脉冲波
看 便条 一个
图示 12
10
1
0.1
100
0.001 0.01 0.1 1 10
瞬时 接合面-至-包围的
热的 阻抗
vs
脉冲波 持续时间
t
w
– 脉冲波 持续时间 – s
– 瞬时 接合面-至-ambientz
c/w
°
θ
JA
单独的 脉冲波
看 便条 一个
热的 阻抗 –
图示 13
便条 一个: 值 是 为 这 d 包装 和 是 fr4-板 挂载 仅有的.
应用 信息
3 v 或者 5 v
微控制器
图示 14. notebook 加载 管理
加载
承担
打气
5 v
–4 v
gaas 场效应晶体管
放大器
驱动器
图示 15. cellular phone 输出 驱动
微控制器
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