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资料编号:1131960
 
资料名称:TPS1100
 
文件大小: 154.88K
   
说明
 
介绍:
Single P-channel Enhancement-Mode MOSFET
 
 


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tps1100, tps1100y
单独的 p-频道 增强-模式 mosfets
slvs078c – 12月 1993 – 修订 8月 1995
8
邮递 办公室 盒 655303
达拉斯市, 德州 75265
典型 特性
– 6
– 4
– 2
0
0235
– 8
门-至-源 电压
vs
门 承担
– 10
146
– 门-至-源 电压 – v
Q
g
– 门 承担 – nc
V
GS
V
DS
= – 10 v
I
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= – 1 一个
T
J
= 25
°
C
图示 11
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