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1. preface
mobile telephones 有 迅速 变为 widespread 和 无线电 communications 有 变为 popular 在 recent
年. 因为 mobile telephones 执行 无线电 交流 在 高 发生率, 要求 为 高-频率 ics
是 growing. 在 增加, 这些 高-频率 ics 也 需要 低 电流 在 顺序 至 realize 变长 表达 时间 和
waiting 时间. moreover, 它们 是 也 必需的 至 是 低-费用 和 是 能 至 是 densely 挂载 在 一个 打印 电路
板 在 顺序 至 create 紧凑的 应用 系统.
至 satisfy 这些 (所需的)东西, nec 有 开发 能变的-增益 放大器 ics 为 传递 agc 的 硅
mmics, namely 这
P
pc8119t 和
P
pc8120t. 因为 这 电路 的 这些 产品 是 设计 作 至 准许 你
至 调整 这 外部 组件 此类 作 inductors 和 电容, 这 relation 在 这 外部 组件
和 内部的 电路 必须 是 clearly grasped. 这个 文档 explains 这 approach 对着 designing 应用
系统 的 这些 ics.
2. 产品 外形
这
P
pc8119t 和
P
pc8120t 是 硅 微波 大而单一的 ics 开发 为 这 传递-平台 agc 的
mobile communications 设备. 这 增益 的 这些 ics 能 是 varied 用 一个 外部 控制 电路. 这
P
pc8119t 是 为 向前 控制 和 这
P
pc8120t 是 为 反转 控制. 两个都 这 产品 是 packaged 在 一个 6-管脚
迷你-模型 为 高-密度 和 表面 挂载. 这 运行 频率 能 是 调整 用 外部 相一致
constants 至 这 输出 管脚. 两个都 产品 有 一个 运行 频率 范围 的 100 mhz 至 1.9 ghz. 在 第一,
这些 产品 是 开发 为 pdc800 m/1.5 g, 但是 它们 是 的确 使用 不 仅有的 在 pdc 但是 也 在 phs
因为 它们 能 运作 在 向上 至 1.9 ghz.
因为 这些 ics 是 能变的 增益 放大器, 这 用户 必须 prepare 一个 外部 控制 电路 此类 作 一个 agc
探测器 电路 当 agc 运作 是 至 是 执行. 这个 外部 控制 电路 将 是 一个 ordinary 电路 和
不 限制 在 任何 方法, 和 非 特定的 电路 是 推荐.
这 详细信息 的 规格 和 典型的 曲线 的 这些 ics 应当 是 涉及 至 它们的 数据 薄板.
3. 生产 处理
nec’s 原来的 硅 双极 处理 nesat-iii 是 运用 作 这 生产 处理 的 两个都 这
P
pc8119t 和
P
pc8120t. 这 特性 的 这个 生产 处理 是 briefly explained 在下.
<1> 高 f
T
(增益 带宽 产品) 的 20 ghz 是 认识到 用 减少 这 发射级 接合面 厚度 的 这
晶体管.
<2> 低 噪音 和 高 增益 用 降低 这 发射级 宽度 (0.6
P
m) 和 根基 接合面 厚度 的 这
晶体管 和 因此 lowering 这 根基 阻抗 和 e-b 接合面 电容.
<3> 高 可靠性, 包含 潮气 proofness, 通过 employment 的 直接 渗氮 影片 结构 用 这个 这
根基 和 发射级 surfaces 是 covered 和 一个 渗氮 影片 通过 一个 薄的 oxide 影片.
因为 的 这些 特性, nesat-iii 是 合适的 为 producing 低-电压 ics 和 极好的 电的 特性.
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