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图示 3-1. 交叉-sectional 视图 的 晶体管 创建 用 nesat 处理 (内部的 元素 的 ic)
集电级
根基
发射级
Electrode
oxide 影片
外延的 layer
n
+
layer
基质
p-频道 stopper
Polysilicon
渗氮 影片
PP
P
n
n
n
+
4. 内部的 电路 配置 和 运作
图示 4-1 显示 这 内部的 相等的 电路 的 这
P
pc8119t 和
P
pc8120t. 这 内部的 电路 的 这
P
pc8119t 和
P
pc8120t 是 完全同样的 除了 为 这 内部的 控制 电路.
两个都 这
P
pc8119t 和
P
pc8120t 是 差别的 放大器 和 相异 这 增益 用 changing 这 电流 份额
的 这 差别的 晶体管 pairs 的 控制 电路 一侧 和 输出 一侧. 这 输出 管脚 是 的 这 打开-集电级 的
这 输出 晶体管 和 externally 配置 一个 相一致 电路. 这 一样 电压 作 v
CC
是 应用 至 这 输出 管脚
作 一个 偏差 通过 这 inductor 的 这 相一致 电路. 这 电路 电流 是 这 总 的 这 电流 在 v
CC
管脚 和 在 这
输出 管脚. 虽然 这 份额 的 这些 电路 电流 改变 和 这 控制 电压, 这 总 的 这 电流
在 这 输出 管脚 和 在 这 v
CC
管脚 是 常量. 这 电流 在 这 v
CC
管脚 是 最小 在 这 最大 增益,
和 最大 在 这 最小 增益 (在 最大 attenuation). 相反地, 这 电流 在 这 输出 管脚 是
最大 在 这 最大 增益, 和 最小 在 这 最小 增益 (在 最大 attenuation). 至 得到 最大 增益,
agc 控制 电压 应当 是 使减少到最低限度 在
P
pc8119t 的 向前 控制 类型 但是 应当 是 maximized 在
P
pc8120t 的 反转 控制 类型. (谈及 至 这
典型的 曲线
在
数据 薄板
.) 这 explanation here 能 是
summarized 在 这 表格 4-1.
图示 4-1. 相等的 电路 的 内部的 块
差别的 放大器 控制 电压 输入 块
1
2
3
5
4
至 偏差 电路
从 增益
控制 块
至 增益 控制 块
2
3
5
6
Remark
这 增益 控制 块 是 不 描述 在 元素 水平的 因为 这 内部的 设计 的 这 ic 是 confidential.
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