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数据 薄板
2 mbit / 4 mbit spi 串行 flash
sst25vf020 / sst25vf040
©2004 硅 存储 技术, 公司 s71231-04-000 6/04
碎片-擦掉
这 碎片-擦掉 操作指南 clears 所有 位 在 这 设备 至
ffh. 一个 碎片-擦掉 操作指南 将 是 ignored 如果 任何 的 这
memory 范围 是 保护. 较早的 至 任何 写 运作, 这
写-使能 (wren) 操作指南 必须 是 executed. ce#
必须 仍然是 起作用的 低 为 这 持续时间 的 这 碎片-擦掉
操作指南 sequence. 这 碎片-擦掉 操作指南 是 initiated
用 executing 一个 8-位 command, 60h. ce# 必须 是 驱动
高 在之前 这 操作指南 是 executed. 这 用户 将 poll
这 busy 位 在 这 软件 状态 寄存器 或者 wait t
CE
为
这 completion 的 这 内部的自-安排时间 碎片-擦掉 循环.
看 图示 9 为 这 碎片-擦掉 sequence.
图示 9: C
HIP
-e
RASE
S
EQUENCE
读-状态-寄存器 (rdsr)
这 读-状态-寄存器 (rdsr) 操作指南 准许 读-
ing 的 这 状态 寄存器. 这 状态 寄存器 将 是 读 在
任何 时间 甚至 在 一个 写 (程序/擦掉) 运作.
当 一个 写 运作 是 在 progress, 这 busy 位 将 是
审查 在之前 sending 任何 新 commands 至 使确信 那
这 新 commands 是 合适的 received 用 这 设备.
ce# 必须 是 驱动 低 在之前 这 rdsr 操作指南 是
entered 和 仍然是 低 直到 这 状态 数据 是 读. 读-
状态-寄存器 是 continuous 和 ongoing 时钟 循环
直到 它 是 terminated 用 一个 低 至 高 转变 的 这 ce#.
看 图示 10 为 这 rdsr 操作指南 sequence.
图示 10: R
EAD
-s
TATUS
-r
EGISTER
(rdsr) s
EQUENCE
CE#
所以
SI
SCK
01234567
60
高 阻抗
模式 0
模式 3
1231 f09.1
MSB
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14
1231 f10.1
模式 3
SCK
SI
所以
CE#
位 7 位 6 位 5 位 4 位 3 位 2 位 1 位 0
05
模式 0
高 阻抗
状态
寄存器 输出
MSB
MSB
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