数据 薄板
2 mbit / 4 mbitspi 串行 flash
sst25vf020 / sst25vf040
9
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读
这 读 操作指南 输出 这 数据 开始 从 这
指定 地址 location. 这数据 输出 stream 是 con-
tinuous 通过 所有 地址 直到 terminated 用 一个 低 至
高 转变 在 ce#. 这 内部的 地址 pointer 将
automatically increment 直到 这 最高的 记忆 地址
是 reached. once 这 最高的 记忆 地址 是 reached,
这 地址 pointer 将 automatically increment 至 这
beginning (wrap-周围) 的 这 地址 空间, i.e. 为
4 mbit 密度, once 这 数据 从 地址 location
7ffffh had 被 读, 这next 输出 将 是 从
地址 location 00000h.
这 读 操作指南 是 initiated 用 executing 一个 8-位 com-
mand, 03h, followed 用 地址 位 [a
23
-一个
0
]. ce# 必须
仍然是 起作用的 低 为 这 持续时间 的 这 读 循环. 看
图示 4 为 这 读 sequence.
图示 4: R
EAD
S
EQUENCE
字节-程序
这 字节-程序 操作指南programs 这 位 在 这
选择 字节 至 这 desired 数据. 这 选择 字节 必须
是 在 这 erased 状态 (ffh) 当 初始的 一个 程序
运作. 一个 字节-程序 操作指南 应用 至 一个 pro-
tected 记忆 范围 将 是 ignored.
较早的 至 任何 写 运作, 这 写-使能 (wren)
操作指南 必须 是 executed. ce# 必须 仍然是 起作用的 低
为 这 持续时间 的 这 字节-程序 操作指南. 这 字节-
程序 操作指南 是 initiated 用 executing 一个 8-位 com-
mand, 02h, followed 用 地址 位 [a
23
-一个
0
]. 下列的 这
地址, 这 数据 是 输入 在 顺序 从 msb (位 7) 至 lsb
(位 0). ce# 必须 是 驱动 高 在之前 这 操作指南 是
executed. 这 用户 将 poll 这 busy 位 在 这 软件
状态 寄存器 或者 wait t
BP
为 这 completion 的 这 内部的
自-安排时间 字节-程序 运作. 看 图示 5 为 这
字节-程序 sequence.
图示 5: B
YTE
-p
ROGRAM
S
EQUENCE
1231 f04.1
CE#
所以
SI
SCK
增加.
012345678
增加. 增加.
03
高 阻抗
15 16
23
24
31
32
39
40
7047 48 55 56 63 64
N+2 N+3 N+4N N+1
D
输出
MSB
MSB
MSB
模式 0
模式 3
D
输出
D
输出
D
输出
D
输出
1231 f05.1
CE#
所以
SI
SCK
增加.
012345678
增加. 增加. D
在
02
高 阻抗
15 16
23
24
31
32
39
模式 0
模式 3
MSBMSB
MSB
LSB
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