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microsteppping dmos 驱动器
和 翻译
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5
电的 特性 在 t
一个
= +25°c, v
BB
= 35 v, v
DD
= 3.0 v 至 5.5v (除非 否则
指出)
典型的 标识 测试 情况
限制
最小值 典型值 最大值 单位
控制 逻辑 (内容’d)
mixed decay trip 要点 PFDH – 0.6v
DD
–V
PFDL – 0.21v
DD
–V
ref. 输入 电压 范围 V
REF
运行 0 – V
DD
V
涉及 输入 电流 I
REF
– 0 ±3.0 µA
增益 (g
m
) 错误
(便条 3)
E
G
V
REF
= 2 v, 阶段 电流 = 38.27% – – ±10 %
V
REF
= 2 v, 阶段 电流 = 70.71% – – ±5.0 %
V
REF
= 2 v, 阶段 电流 = 100.00% – – ±5.0 %
转型 dead 时间 t
DT
sr 使能 100 475 800 ns
热的 关闭 温度 T
J
– 165 – °C
热的 关闭 hysteresis
∆
T
J
–15 –°C
uvlo 使能 门槛 V
UVLO
增加 v
DD
2.45 2.7 2.95 V
uvlo hysteresis
∆
V
UVLO
0.05 0.10 – V
逻辑 供应 电流 I
DD
f
PWM
< 50 khz – – 12 毫安
输出 止 – – 10 毫安
睡眠 模式 – – 20 µA
* 运作 在 一个 步伐 频率 更好 比 这 speci
fi
ed 最小 值 是 可能 但是 不 warranteed.
注释: 1. 典型 数据 是 为 设计 信息 仅有的.
2. 负的 电流 是 de
fi
ned 作 coming 输出 的 (sourcing) 这 speci
fi
ed 设备 终端.
3. e
G
= ([v
REF
/8] – v
SENSE
)/(v
REF
/8)