M29F800at, M29F800AB
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表格 10. 直流 特性
(t
一个
= 0 至 70
°
c, –40 至 85
°
C 或者 –40 至 125
°
c)
便条: 1. 抽样 仅有的, 不 100% 测试.
2. T
一个
=25
°
c, V
CC
=5v.
标识 参数 测试 Condition 最小值
典型值
(2)
最大值 单位
I
LI
输入 泄漏 电流
0V
≤
V
在
≤
V
CC
±
1
µ
一个
I
LO
Output 泄漏 电流 0V
≤
V
输出
≤
V
CC
±
1
µ
一个
I
CC1
供应 电流 (读)
E=V
IL
,g=v
IH
, f = 6MHz
10 20 毫安
I
CC2
供应 电流 (备用物品) TTL
E=V
IH
1mA
I
CC3
供应 电流 (备用物品) CMOS
E=V
CC
±
0.2v,
RP = V
CC
±
0.2v
35 150
µ
一个
I
CC4
(1)
供应 电流 (程序/擦掉)
程序/擦掉
控制 起作用的
20 毫安
V
IL
输入 低 电压 –0.5 0.8 V
V
IH
输入 高 电压 2
V
CC
+ 0.5
V
V
OL
Output 低 电压
I
OL
= 5.8ma
0.45 V
V
OH
Output 高 电压 TTL
I
OH
= –2.5ma
2.4 V
Output 高 电压 CMOS
I
OH
= –100
µ
AV
CC
–0.4
V
V
ID
Identification 电压 11.5 12.5 V
I
ID
Identification 电流
A9 = V
ID
100
µ
一个
V
LKO
(1)
程序/擦掉 Lockout 供应
电压
3.2 4.2 V
Alternative Toggle 位 (dq2).
这 Alternative
Toggle 位 能 是 使用 至 监控 这 程序/
擦掉 控制 在 擦掉 行动. 这 al-
ternative Toggle 位 是 输出 在 DQ2 当 这
状态 寄存器 是 读.
在 碎片 擦掉 和 块 擦掉 行动 这
Toggle 位 改变 f只读存储器 ’0’ 至 ’1’ 至 ’0’, 等, 和
successive 总线 读 行动 从 地址
在里面 这 blocks 正在 erased. Once 这 运作
完成 the 记忆 returns 至 读 模式.
在 擦掉 Suspend 这 Alternative Toggle 位
改变 从 ’0’ 至 ’1’ 至 ’0’, 等 和 successive
总线 读 行动 从 地址 在里面 这
blocks 正在 erased. 总线 读 行动 至 ad-
dresses 在里面 blocks 不 正在 erased 将 输出
这 记忆 cell 数据 作 如果 在 读 模式.
之后 一个 擦掉 运作 that 导致 the 错误 位
至 是 设置 这 Alternative Toggle 位 能 是 使用 至
identify 这个 块 或者 blocks 有 造成 这 er-
ror. 这 Alternative Toggle 位 改变 从 ’0’ 至
’1’ 至 ’0’, 等 和 successive 总线 读 Opera-
tions 从 地址 在里面 blocks 那 有 不
erased correctly. 这 Alternative Toggle 位 做
不 改变 如果 这 addressed 块 有 erased cor-
rectly.
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