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PRELIMINARY 数据
January 2000
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M29F800AT
M29F800AB
8 Mbit (1mb x8 或者 512Kb x16, 激励 块)
Single 供应 Flash 记忆
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单独的 5V
±
10% 供应 电压 为
程序, 擦掉 和 读 行动
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进入 时间: 70ns
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程序编制 时间
–8
µ
s 每 字节/文字 典型
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19 记忆 BLOCKS
– 1 激励 块 (顶 或者 Bottom location)
– 2 参数 和 16 主要的 Blocks
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程序/擦掉 控制
– Embedded 字节/文字 程序 algorithm
– Embedded multi-块/碎片 擦掉 algorithm
– 状态 寄存器 Polling 和 Toggle 位
– 准备好/busy 输出 管脚
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擦掉 SUSPEND 和 重新开始 模式
– 读 和 程序 另一 块 在
擦掉 Suspend
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TEMPORARY 块 UNPROTECTION
模式
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低 电源 消耗量
– 备用物品 和 自动 备用物品
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100,000 程序/擦掉 循环 每
块
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20 年 数据 保持
– Defectivity 在下 1 ppm/年
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电子的 SIGNATURE
– 生产者 代号: 0020h
– M29F800AT 设备 代号: 00ECh
– M29F800AB 设备 代号: 0058h
44
1
TSOP48 (n)
12 x 20mm
所以44 (m)
图示 1. 逻辑 图解
AI02198B
19
a0-a18
W
dq0-dq14
V
CC
M29F800AT
M29F800AB
E
V
SS
15
G
RP
DQ15A–1
字节
RB
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