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M29F800at, M29F800AB
这 blocks 在 这 记忆 是 asymmetrically ar-
ranged, 看 Tables 3A 和 3b, 块 地址.
这 第一 或者 last 64 Kbytes 有 被 分隔 在
四 额外的 blocks. 这 16 Kbyte 激励 块
能 是 使用 为 小 initialization 代号 至 开始 这
微处理器, 这 二 8 Kbyte 参数
Blocks 能 是 使用 为 参数 存储 和 这
remaining 32K 是 一个 小 主要的 块 在哪里 这 ap-
plication 将 是 贮存.
碎片 使能, 输出 使能 和 写 使能 sig-
nals 控制 这 总线 运作 的 这 记忆.
它们 准许 简单的 连接 至 大多数 micropro-
cessors, 常常 没有 额外的 逻辑.
这 记忆 是 offered 在 TSOP48 (12 x 20mm)
和 SO44 包装. 进入 times 的 70ns 和
90ns 是 有. 这 记忆 是 有提供的 和
所有 这 位 erased (设置 至 ’1’).
信号 描述
看 图示 1, 逻辑 图解, 和 表格 1, 信号
names, 为 一个 brief overview 的 这 信号 连接-
ed 至 这个 设备.
地址 输入 (a0-a18).
这 地址 输入
选择 这 cells 在 这 记忆 排列 至 进入 dur-
ing 总线 读 行动. 在 总线 写 opera-
tions 它们 控制 这 commands sent 至 这
Command 接口 的 这 内部的 状态 机器.
数据 输入/输出 (dq0-dq7).
这 数据 在-
puts/输出 输出 这 数据 贮存 在 这 选择
地址 在 一个 总线 读 运作. 在 总线
写 行动 they 代表 这 commands
sent 至 这 Command 接口 的 这 内部的 状态
机器.
数据 输入/输出 (dq8-dq14).
这 数据 在-
puts/输出 输出 这 数据 贮存 在 这 选择
地址 在 一个 总线 读 运作 当 字节
是 高, V
IH
. 当 字节 是 低, V
IL
, 这些 管脚
是 不 使用 和 是 高 阻抗. 在 总线
写 行动 这 Command 寄存器 做 不
使用 这些 位. 当 读 这 状态 寄存器
这些 位 应当 是 ignored.
数据 输入/输出 或者 地址 输入 (dq15a-1).
当 字节 是 高, V
IH
, 这个 管脚 behaves 作 一个
数据 输入/输出 管脚 (作 DQ8-dq14). 当
字节 是 低, V
IL
, 这个 管脚 behaves 作 一个 地址
管脚; DQ15A–1 低 将 选择 这 LSB 的 这 文字
在 这 其它 地址, DQ15A–1 高 将 选择
这 msb. 全部地 这 text 考虑 references
至 这 数据 输入/输出 至 包含 这个 管脚 当
字节 是 高 和 references 至 这 地址 在-
puts 至 包含 这个 管脚 当 字节 是 低 除了
当 陈述 explicitly 否则.
表格 2. 绝对 最大 比率
(1)
便条: 1. 除了 f或者 这 比率 ”Operating 温度 range”, 压力 在之上 那些 列表 在 这 表格 ”Absolute 最大 Ratings” 将
导致 永久的 损坏 至 这 设备. 这些 是 压力 比率 仅有的 和 运作 的 这 设备 在 这些 或者 任何 其它 情况
在之上 那些 indicated 在 这 运行 sections 的 这个 规格 是 不 暗指. 暴露 至 一个bsolute 最大 比率 condi-
tions 为 扩展 时期 将 影响 设备 可靠性. 谈及 也 至 这 意法半导体 确信 程序 和 其它 相关的 qual-
ity documents.
2. 最小 电压 将 undershoot 至 –2V 在 transition 和 为 较少 比 20ns 在 transitions.
标识 参数 值 单位
T
一个
包围的 运行 温度 (温度 范围 选项 1) 0 至 70
°
C
包围的 运行 温度 (温度 范围 选项 6) –40 至 85
°
C
包围的 运行 温度 (温度 范围 选项 3) –40 至 125
°
C
T
偏差
温度 下面 偏差 –50 至 125
°
C
T
STG
存储 温度 –65 至 150
°
C
V
IO
(2)
输入 或者 输出 电压 –0.6 至 6 V
V
CC
供应 电压 –0.6 至 6 V
V
ID
Identification 电压 –0.6 至 13.5 V