首页 | 最新需求 | 最新现货 | IC库存 | 供应商 | IC英文资料库 | IC中文资料库 | IC价格 | 电路图 | 应用资料 | 技术资料
 IC型号:
您现在的位置:首页 >  IC英文资料库 进入手机版 
 
资料编号:123436
 
资料名称:ADF4360-6BCP
 
文件大小: 336.77K
   
说明
 
介绍:
Integrated Synthesizer and VCO
 
 


: 点此下载
  浏览型号ADF4360-6BCP的Datasheet PDF文件第3页
3
浏览型号ADF4360-6BCP的Datasheet PDF文件第4页
4
浏览型号ADF4360-6BCP的Datasheet PDF文件第5页
5
浏览型号ADF4360-6BCP的Datasheet PDF文件第6页
6

7
浏览型号ADF4360-6BCP的Datasheet PDF文件第8页
8
浏览型号ADF4360-6BCP的Datasheet PDF文件第9页
9
浏览型号ADF4360-6BCP的Datasheet PDF文件第10页
10
浏览型号ADF4360-6BCP的Datasheet PDF文件第11页
11
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
adf4360-6
rev. 0 | 页 7 的 24
管脚 配置 和 functional 描述
adf4360-6
顶 视图
(不 至 规模)
CPGND
1
AV
DD
2
AGND
3
RF
输出
一个
4
RF
输出
B
5
V
VCO
6
数据
18
CLK
17
REF
16
DGND
15
C
N
14
R
设置
13
V
TUNE
7
AGND
8
AGND
9
AGND
10
AGND
11
C
C
12
CP
24
CE
23
AGND
22
DV
DD
21
MUXOUT
20
LE
19
04440-0-002
管脚 1
IDENTIFIER
图示 3. 管脚 配置
表格 4. 管脚 函数的 描述
管脚 非. Mnemonic 函数
1 CPGND 承担 打气 地面. 这个 是 这地面 返回 path 为 这 承担 打气.
2 av
DD
相似物 电源 供应. 这个 范围 从 3.0 v 至 3.6 v.解耦 电容 至这 相似物 地面 平面
应当 是 放置 作 关闭 作 可能 至 这个 管脚. av
DD
必须 有 这 一样 值 作 dv
DD
.
3, 8–11, 22 AGND 相似物 地面. 这个 是 这地面 返回 path 的 这 预分频器 和 vco.
4 rf
输出
一个
vco 输出. 这 输出 水平的 是 可编程序的 从 −4.5dbm 至 −13.5 dbm. 看 the 输出 相一致 部分
为 一个 描述 的 这 各种各样的 输出 stages.
5 rf
输出
B
vco complementary 输出. 这 输出水平的 是 可编程序的 从 −4.5dbm 至 −13.5 dbm. 看 这 输出
相一致 部分 为 一个 描述 的 这 各种各样的 输出 stages.
6 v
VCO
电源 供应 为 这 vco. 这个 范围从 3.0 v 至 3.6 v. 解耦 capacitors 至 这 相似物 地面 平面
应当 是 放置 作 关闭 作 可能 至 这个 管脚. v
VCO
必须 有 这 一样 值 作 av
DD
.
7 v
TUNE
控制 输入 至 这 vco. 这个 电压 确定 这 输出频率 和 是 获得 从 filtering 这 cp 输出 电压.
12 c
C
内部的 补偿 node. 这个 管脚 必须 是decoupled 至 地面 和 一个 10 nf 电容.
13 r
设置
连接 一个 电阻 在 这个 管脚 和 cp
sets 这 最大 承担打气 输出 电流 为 这
synthesizer. 这 名义上的 电压 潜在的 在 这 r
设置
管脚 是 0.6 v. 这 relationship 在
I
CP
R
设置
设置
CPmax
R
I
75.11
=
在哪里
R
设置
= 4.7 kΩ,
I
CPmax
= 2.5 毫安.
14 c
N
内部的 补偿 node. 这个管脚 必须 是 decoupled 至 v
VCO
和 一个 10 µf 电容.
15 DGND 数字的 地面.
16 ref
涉及 输入. 这个 是 一个 cmos 在放 和 一个 名义上的 门槛 的 v
DD
/2 和 一个 直流 相等的 输入 阻抗 的
100 kΩ. 看 图示 10. 这个 输入 能 是 驱动 从 一个 ttl或者 cmos 结晶 振荡器, 或者 它 能 是 交流-结合.
17 clk
串行 时钟 输入. 这个 串行 时钟 是使用 至 时钟 在 这 串行数据 至 这 寄存器. the 数据 是 latched 在 这
24-位 变换 寄存器 在 这 clk rising 边缘. th是 输入 是 一个 高 阻抗 cmos 输入.
18 数据
串行 数据 输入. 这 串行 数据 是承载 msb 第一 和 这 二 lsbs 是ing 这 控制 位. 这个 输入 是 一个
高 阻抗 cmos 输入.
19 le
加载 使能, cmos 输入. 当 le 变得高, 这 数据 贮存 在 这 变换寄存器 是 承载 在 一个 的 这
四 latches, 和 这 相关的 获得是 选择 使用 这 控制 位.
20 muxout
这个 多路调制器 输出 准许 也 the 锁 发现, 这 scaled rf, 或者 the scaled 涉及 频率 至 是
accessed externally.
21 dv
DD
数字的 电源 供应. 这个 范围 从 3.0 v 至 3.6 v. de连接 电容 至 这数字的 地面 平面 应当
是 放置 作 关闭 作 可能 至 这个 管脚. dv
DD
必须 有 这 一样 值 作 av
DD
.
23 ce
碎片 使能. 一个 逻辑 低 在 这个 管脚 powers 向下 这 device 和 puts 这 承担 打气 在 三-状态 模式.
带去 这 管脚 高 powers 向上 这 设备 depending 在 这 状态 的 这 电源-向下 位.
24 CP 承担 打气 输出. 当使能, 这个 提供 ± i
CP
至 这 外部 循环 过滤, 这个 在 转变 驱动 这 内部的 vco.
资料评论区:
点击回复标题作者最后回复时间

标 题:
内 容:
用户名:
手机号:    (*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)
      
关于我们 | 联系我们
电    话13410210660             QQ : 84325569   点击这里与集成电路资料查询网联系
联系方式: E-mail:CaiZH01@163.com