rev. 一个
adp3158/adp3178
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布局 和 组件 placement 指导原则
这 下列的 指导原则 是 推荐 为 最优的 perfor-
mance 的 一个 切换 调整器 在 一个 pc 系统:
一般 recommendations
1. 为 最好的 结果, 一个 四-layer pcb 是 推荐. 这个
应当 准许 这 需要 versatility 为 控制 电路系统
interconnections 和 最优的 placement, 一个 信号 地面
平面, 电源 平面 为 两个都 电源 地面 和 这 输入
电源 (e.g., 5 v), 和 宽 interconnection 查出 在 这
rest 的 这 电源 传送 电流 paths.
2. whenever 高 电流 必须 是 routed 在 pcb
layers, vias 应当 是 使用 liberally 至 create 一些 并行的
电流 paths 所以 那 这 阻抗 和 电感 intro-
duced 用 这些 电流 paths 是 使减少到最低限度 和 这 通过
电流 比率 是 不 超过.
3. 如果 核心的 信号 线条 (包含 这 电压 和 电流
sense 线条 的 这 控制 ic) 必须 交叉 通过 电源
电路系统, 它 是 最好的 如果 一个 地面 平面 能 是 interposed
在 那些 信号 线条 和 这 查出 的 这 电源
电路系统. 这个 serves 作 一个 shield 至 降低 噪音 injec-
tion 在 这 信号 在 这 费用 的 制造 信号 地面 一个
位 noisier.
4. 这 地 管脚 应当 连接 第一 至 一个 陶瓷的 绕过
电容 (在 这 vcc 管脚) 和 然后 在这 电源 地面
平面. 不管怎样, 这 地面 平面 应当不 扩展 下面
其它 信号 组件, 包含 这 控制 ic 它自己.
5. 这 输出 电容 应当 也 是 连接 作 closely
作 可能 至 这 加载 (或者 连接器) 那 receives 这
电源 (e.g., 一个 微处理器 核心). 如果 这 加载 是 distributed,
这 电容 应当 也 是 distributed, 和 一般地 在
份额 至 在哪里 这 加载 tends 至 是 更多 动态. 它
是 也 advised 至 保持 这 planar interconnection path 短的
(i.e., 有 输入 和 输出 电容 关闭 一起).
6. absolutely 避免 越过 任何 信号 线条 在 这 切换
电源 path 循环, 描述 在下.
电源 电路系统
7. 这 切换 电源 path 应当 是 routed 在 这 pcb 至
encompass 这 smallest 可能 范围 在 顺序 至 降低
radiated 切换 噪音 活力 (i.e., emi). 失败 至 引领
恰当的 precaution 常常 结果 在 emi 问题 为 这
全部 pc 系统 作 好 作 噪音-related 运算的 prob-
lems 在 这 电源 转换器 控制 电路系统. 这 切换
电源 path 是 这 循环 formed 用 这 电流 path 通过
这 输入 电容, 这 二 fets, 和 这 电源 肖特基
二极管, 如果 使用, 包含 所有 interconnecting pcb 查出 和
平面. 这 使用 的 短的 和 宽 interconnection 查出 是
特别 核心的 在 这个 path 为 二 reasons: 它 降低
这 电感 在 这 切换 循环, 这个 能 导致 高-
活力 ringing, 和 它 accommodates 这 高 电流 要求
和 minimal 电压 丧失.
8. 一个 电源 肖特基 二极管 (1 ~ 2 一个 直流 比率) 放置 从 这
更小的 场效应晶体管
’
s 源 (anode) 至 流 (cathode) 将
帮助 至 降低 切换 电源 消耗 在 这 upper
场效应晶体管. 在 这 b
ñôÖÑ
x 的 一个 有效的 肖特基 二极管,
这个 消耗 occurs 通过 这 下列的 sequence 的
切换 events. 这 更小的 场效应晶体管 转变 止 在 进步
的 这 upper 场效应晶体管 turning 在 (需要 至 阻止
交叉-传导). 这 circulating 电流 在 这 电源
转换器, 非 变长 finding 一个 path 为 电流 通过 这
频道 的 这 更小的 场效应晶体管, 牵引 电流 通过 这
固有的 身体-流 二极管 的 这 场效应晶体管. 这 upper
场效应晶体管 转变 在, 和 这 反转 恢复 典型的
的 这 更小的 场效应晶体管
’
s 身体-流 二极管 阻止 这 流
电压 从 正在 牵引的 高 quickly. 这 upper 场效应晶体管
然后 conducts 非常 大 电流 当 它 短促地 有 一个
高 电压 强迫 横过 它, 这个 translates 在 增加
电源 消耗 在 这 upper 场效应晶体管. 这 肖特基 二极管
降低 这个 问题 用 carrying 一个 majority 的 这 circu-
lating 电流 当 这 更小的 场效应晶体管 是 转变 止, 和
用 virtue 的 它的 essentially nonexistent 反转 恢复 时间.
9. whenever 一个 电源-dissipating 组件 (e.g., 一个 电源
场效应晶体管) 是 焊接 至 一个 pcb, 这 liberal 使用 的 vias,
两个都 直接地 在 这 挂载 垫子 和 立即 sur-
rounding 它, 是 推荐. 二 重要的 reasons 为
这个 是: 改进 电流 比率 通过 这 vias (如果 它 是 一个
电流 path), 和 改进 热的 效能
—
espe-
cially 如果 这 vias 扩展 至 这 opposite 一侧 的 这 pcb where
一个 平面 能 更多 readily 转移 这 热温 至 这 空气.
10. 这 输出 电源 path, though 不 作 核心的 作 这 转变-
ing 电源 path, 应当 也 是 routed 至 encompass 一个 小
范围. 这 输出 电源 path 是 formed 用 这 电流 path
通过 这 inductor, 这 电流 感觉到 电阻, 这 输出-
放 电容, 和 后面的 至 这 输入 电容.
11. 为 最好的 emi containment, 这 地面 平面 应当 扩展
全部地 下面 所有 这 电源 组件. 这些 是: 这 input
电容, 这 电源 mosfets 和 肖特基 二极管, 这
inductor, 这 电流 sense 电阻, 任何snubbing elements
那 might 是 增加 至 dampen ringing, 和 这 输出
电容.
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