rev. 一个
adp3158/adp3178
–9–
R
SENSE
这 值 的 r
SENSE
是 为基础 在 这 最大 必需的 输出
电流. 这 电流 comparators 的 这 adp3158 和 adp3178
有 一个 最小 电流 限制 门槛 的 69 mv. 便条 那 这
69 mv 值 不能 是 使用 为 这 最大 指定 名义上的
电流, 作 头上空间 是 需要 为 波纹 电流 和 容忍.
这 电流 比较器 门槛 sets 这 顶峰 的 这 inductor
电流 yielding 一个 最大 输出 电流, i
O
, 这个 相等 两次
这 顶峰 inductor 电流 值 较少 half 的 这 顶峰-至-顶峰 induc-
tor 波纹 电流. 从 这个 这 最大 值 的 r
SENSE
是
计算 作:
R
V
I
I
mV
AA
m
SENSE
CS CL 最小值
O
L 波纹
≤
+
=
+
=Ω
()( )
()
.
2
69
15 1 9
4
(8)
在 这个 情况, 4 m
Ω
是 选择 作 这 closest 标准 值.
once r
SENSE
有 被 选择, 这 输出 电流 在 这 要点
在哪里 电流 限制 是 reached, i
输出(cl)
, 能 是 计算 使用
这 最大 电流 sense 门槛 的 87 mv:
I
V
R
I
mV
m
一个
一个
输出 CL
CS CL 最大值
SENSE
L 波纹
()
()( ) ( )
–
–
.
=
=
Ω
≈
2
87
4
38
2
20
(9)
在 输出 电压 在下 450 mv, 这 电流 sense 门槛 是
减少 至 54 mv, 和 这 波纹 电流 是 negligible. 那里-
fore, 在 dead 短的 这 输出 电流 是 减少 至:
I
mV
m
一个
输出 SC
()
.
=
Ω
=
54
4
13 5
(10)
至 safely carry 这 电流 下面 最大 加载 情况, 这
sense电阻 必须 有 一个 电源 比率 的 在 least:
PIR AmW
R O SENSE
SENSE
=× = ×Ω=
() ( ) .
22
20 4 1 6
(11)
电源 mosfets
二 外部 n-频道 电源 mosfets 必须 是 选择 为
使用 和 这 adp3158 和 adp3178, 一个 为 这 主要的 转变
和 一个 完全同样的 一个 为 这 同步的 转变. 这 主要的
选择 参数 为这 电源 mosfets 是 这 门槛
电压 (v
gs(th)
) 和这 在-阻抗 (r
ds(在)
).
这 最小 输入 电压 dictates whether 标准 门槛
或者 逻辑-水平的门槛 mosfets must 是 使用. 为 v
在
> 8 v,
标准 门槛 mosfets (v
gs(th)
< 4 v) 将 是 使用. 如果
V
在
是 预期的 至 漏出 在下 8 v, 逻辑-水平的 门槛 mosfets
(v
gs(th)
< 2.5 v) 是 strongly 推荐. 仅有的 logic-level
mosfets 和 v
GS
比率 高等级的 比 这 绝对 最大
值 的 v
CC
应当 是 使用.
这 最大 输出 电流 i
o(最大值)
确定 这 r
ds(在)
必要条件 为 这 二 电源 mosfets. 当 这 adp3158
和 adp3178 是 运行 在 持续的 模式, 这 simplifying
assumption 能 是 制造 那 一个 的 这 二 mosfets 是 总是
组织 这 平均 加载 电流. 为 v
在
= 5 v 和 v
输出
=
1.65 v, 这 最大 职责 比率 的 这 高-一侧 场效应晶体管 是:
Dft
D kHz s
HSF 最大值 最小值 止
HSF 最大值
()
()
–
()
–
(.)%
=×
=×µ=
1
1 195 3 3 36
(12)
这 最大 职责 比率 的 这 低-一侧 (同步的 整流器)
场效应晶体管 是:
DD
LSF 最大值 HSF 最大值
() ()
–
%
==
154
(13)
这 最大 rms 电流 的 这 高-一侧 场效应晶体管 是:
ID
IIII
I
AAAA
一个 rms
RMSHSF HSF 最大值
L VALLEY L VALLEY L 顶峰 L 顶峰
RMSHSF
=×
+×+
=×
+×+
=
()
()()()()
()
%
.(. .).
.
22
22
3
36
13 1 13 1 16 1 16 1
3
88
(14)
这 最大 rms 电流 的 这 低-一侧 场效应晶体管 是:
ID
IIII
I
AAAA
一个 rms
RMSLSF LSF 最大值
L VALLEY L VALLEY L 顶峰 L 顶峰
RMSLSF
=×
+×+
=×
+×+
=
()
()()()()
%
.(. .).
.
22
22
3
54
13 1 13 1 16 1 16 1
3
10 8
(15)
这 r
ds(在)
为 各自 场效应晶体管 能 是 获得 从 这 容许的
消耗. 如果 10% 的 这 最大 输出 电源 是 允许 为
场效应晶体管 消耗, 这 总的 消耗 将 是:
PVI W
D FETs 输出 输出 最大值
() ( )
..
=× × =
01 226
(16)
allocating half 的 这 总的 消耗 为 这 高-一侧 场效应晶体管
和 half 为 这 低-一侧 场效应晶体管 和 假设 那 切换
losses 是 小 相关的 至 这 直流 传导 losses, 这 必需的
最小 场效应晶体管 抵制 将 是:
R
P
I
W
一个
m
DS 在 HSF
HSF
HSF
()
.
.
≤= =Ω
22
113
88
15
(17)
R
P
I
W
一个
m
DS 在 LSF
LSF
LSF
()
.
.
≤= =Ω
22
113
10 8
10
(18)
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