SBAS314A− april 2004 − 修订 九月 2004
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温度 传感器
在-碎片 二极管 提供 温度-感觉到 capabili-
ty. 用 设置 这 tempen 管脚 高, 这 选择 相似物
输入 是 disconnected 和 这 输入 至 这 一个/d
转换器 是 连接 至 这 anodes 的 二 二极管
scaled 至 1x和 64x 在 电流 和 大小 inside 这 mux,
作 显示 在 图示 18. 用 测量 这 区别 在
电压 的 这些 二极管, 温度 改变 能 是
inferred 从 一个 baseline 温度. 典型地, 这
区别 在 二极管 电压 是 106mv 在 25
°
c, 和 一个
温度系数的 360
µ
v/
°
c. 一个 类似的 结构
是 使用 在 这msc1210 为 温度 度量.
为 更多 信息, 看 德州仪器 应用 report
sbaa100,
使用 这 msc121x 作 一个 高-精确
intelligent 温度 传感器
, 有 为 下载
在 www.德州仪器.com.
AINP
AINP1
AINN1
AINP2
AINN2
8I 1I
1X 8X
AINN
TEMPEN
VDD
MUX
图示 18. 度量 的 这 温度
传感器 在 这 输入 多路调制器
电压 涉及 输入
(vrefp, vrefn)
这 电压 涉及 使用 用 这 modulator 是
发生从 这 电压 区别 在 vrefp
和 vrefn: v
REF
= vrefp – vrefn. 这 涉及
输入 使用 一个 结构 类似的 至 那 的 这 相似物
输入. 一个 simplified 图解 的 这 电路系统 在 这
涉及 输入 是 显示 在 图示 19. 这 switches
和 电容 能 是 modeled 和 一个 有效的
阻抗 的:
t
样本
2
16pF
500k
在哪里 f
CLK
= 2mhz.
VDD
自 增益 Cal
AINP
(1) f
CLK
=2MHz
AINN
VREFP VREFN
VDD
静电释放
保护
16pF
zeff = 500k
Ω
(1)
图示 19. simplified 涉及 输入 电路系统
静电释放 二极管 保护 这 涉及 输入. 至 阻止
这些 二极管 从 turning 在, 制造 确信 这 电压
在 这 涉及 管脚 做 不 go 在下 地 用 更多
比 100mv, 和 likewise, 做 不 超过 vdd 用
100mv:
地 – 100mv < (vrefp, vrefn) < vdd + 100mv
在自 增益 校准, 所有 这 switches 在 这输入
多路调制器 是 opened, vrefn 是 内部 连接
至 ainn, 和 vrefp 是 连接 至 ainp. 这 输入
缓存区 将 是 无能 或者 使能 在 校准.
当 这 缓存区 是 无能, 这 涉及 管脚 将 是
驱动 这 电路系统 显示 在 图示 9 在 自 增益
校准, 结果 在 增加 加载. 至 阻止
这个 额外的 加载 从 introducing 增益 errors,
制造 确信 这 电路系统 驱动 这 涉及 管脚 有
足够的 驱动 能力. 当 这 缓存区 是 使能,
这 加载 在 这 涉及 管脚 将 是 更 较少, 但是
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