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
SBAS314A− april 2004 − 修订 九月 2004
www.德州仪器.com
6
典型 特性
在 t
一个
= −40
°
c 至 +85
°
c, vdd = +5v, f
CLK
= 2mhz, 和 v
REF
= +2.5v, 除非 否则 指出.
图示 1
相似物 电流 vs 温度
温度 (

c)
电流 (
µ
一个)
400
375
350
325
300
275
250
225
200
0
−
25
25 50 75 125
−
50
100
f
CLK
=4mhz,vdd=5V
f
CLK
=2mhz,vdd=3v
f
CLK
=4mhz,vdd=3v
f
CLK
=2mhz,vdd=5v
缓存区 止
图示 2
f
CLK
=4mhz,vdd=5v
f
CLK
=2mhz,vdd=3v
f
CLK
=4mhz,vdd=3v
f
CLK
=2mhz,vdd=5v
缓存区 在
相似物 电流 vs 温度
电流 (
µ
一个)
550
500
450
400
350
300
温度 (

c)
0
−
25
25 50 75 125
−
50
100
图示 3
相似物 电流 vs 供应 电压
供应 电压 (v)
电流 (
µ
一个)
3.53.0 4.0 4.5 5.0 5.52.5
500
450
400
350
300
250
缓存区 止
缓存区 在
f
CLK
=2MHz
f
CLK
=2MHz
f
CLK
=4MHz
f
CLK
=4MHz
图示 4
温度 传感器 电压 vs 温度
温度 (

c)
温度 传感器 电压 (mv)
5
−
25 35 65 95 125
−
55
150
140
130
120
110
100
90
80
70
图示 5
输入 电压, V
在
(v)
−
3
−
4
−
2
−
1012345
−
5
10
8
6
4
2
0
−
2
−
4
−
6
−
8
−
10
INL (ppm of fsr)
INTEGRAL 非线性 vs 输入 电压
−
40

C
+25

C
+85

C
f
CLK
=2MHz
缓存区 止
图示 6
−
1.5
−
2.5
−
0.5 0.5 1.5 2.5 3.5
−
3.5
INTEGRAL 非线性 vs 输入 电压
输入 电压, V
在
(v)
f
CLK
=2MHz
缓存区 在
10
8
6
4
2
0
−
2
−
4
−
6
−
8
−
10
INL (ppm of fsr)
−
40

C
+25

C
+85

C

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 SBAS314A− april 2004 − 修订九月 2004 www.德州仪器.com 6 典型特性在 t 一个 = −40 ° c 至 +85 ° c, vdd = +5v, f CLK = 2mhz, 和 v REF = +2.5v, 除非否则指出. 图示 1 相似物电流 vs 温度温度 (  c) 电流 ( µ 一个) 400 375 350 325 300 275 250 225 200 0 − 25 25 50 75 125 − 50 100 f CLK =4mhz,vdd=5V f CLK =2mhz,vdd=3v f CLK =4mhz,vdd=3v f CLK =2mhz,vdd=5v 缓存区止图示 2 f CLK =4mhz,vdd=5v f CLK =2mhz,vdd=3v f CLK =4mhz,vdd=3v f CLK =2mhz,vdd=5v 缓存区在相似物电流 vs 温度电流 ( µ 一个) 550 500 450 400 350 300 温度 (  c) 0 − 25 25 50 75 125 − 50 100 图示 3 相似物电流 vs 供应电压供应电压 (v) 电流 ( µ 一个) 3.53.0 4.0 4.5 5.0 5.52.5 500 450 400 350 300 250 缓存区止缓存区在 f CLK =2MHz f CLK =2MHz f CLK =4MHz f CLK =4MHz 图示 4 温度传感器电压 vs 温度温度 (  c) 温度传感器电压 (mv) 5 − 25 35 65 95 125 − 55 150 140 130 120 110 100 90 80 70 图示 5 输入电压, V 在 (v) − 3 − 4 − 2 − 1012345 − 5 10 8 6 4 2 0 − 2 − 4 − 6 − 8 − 10 INL (ppm of fsr) INTEGRAL 非线性 vs 输入电压 − 40  C +25  C +85  C f CLK =2MHz 缓存区止图示 6 − 1.5 − 2.5 − 0.5 0.5 1.5 2.5 3.5 − 3.5 INTEGRAL 非线性 vs 输入电压输入电压, V 在 (v) f CLK =2MHz 缓存区在 10 8 6 4 2 0 − 2 − 4 − 6 − 8 − 10 INL (ppm of fsr) − 40  C +25  C +85  C

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