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资料编号:12537
 
资料名称:IRGP50B60PD1
 
文件大小: 468.1K
   
说明
 
介绍:
SMPS IGBT
 
 


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IRGP50B60PD1
4 www.irf.com
图. 8
- 典型 v
CE
vs. v
GE
T
J
= 25°c
图. 9
- 典型 v
CE
vs. v
GE
T
J
= 125°c
图. 12
- 典型值 切换 时间 vs. i
C
T
J
= 125°c; l = 200µh; v
CE
= 390v, r
G
= 3.3
; v
GE
= 15v.
图. 11
- 典型值 活力 丧失 vs. i
C
T
J
= 125°c; l = 200µh; v
CE
= 390v, r
G
= 3.3
; v
GE
= 15v.
图. 10
- 最大. 二极管 向前
特性 tp = 80µs
图. 7
- 典型值 转移 特性
V
CE
= 50v; tp = 10µs
0 5 10 15 20
V
GE
(v)
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V
C
E
(
V
)
I
CE
= 15a
I
CE
= 33a
I
CE
= 50a
0 5 10 15 20
V
GE
(v)
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V
C
E
(
V
)
I
CE
= 15a
I
CE
= 33a
I
CE
= 50a
0 102030405060
I
C
(一个)
0
200
400
600
800
1000
1200
E
n
e
r
g
y
(
µ
J
)
E
E
0 10 20 30 40 50 60
I
C
(一个)
10
100
1000
S
w
i
c
h
i
n
g
T
i
m
e
(
n
s
)
t
R
td
t
F
td
0 5 10 15 20
V
GE
(v)
0
100
200
300
400
500
600
700
800
900
I
C
E
(
一个
)
T
J
= 25°c
T
J
= 125°c
T
J
= 125°c
T
J
= 25°c
1
10
100
0.8 1.2 1.6 2.0 2.4
FM
F
I nstantaneous forw一个rd current -I(一个)
向前 电压 漏出 - v (v)
t = 150°c
t = 125°c
t = 25°c
J
J
J
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