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资料编号:12537
 
资料名称:IRGP50B60PD1
 
文件大小: 468.1K
   
说明
 
介绍:
SMPS IGBT
 
 


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IRGP50B60PD1
www.irf.com 5
图. 14
- 典型值 切换 时间 vs. r
G
T
J
= 125°c; l = 200µh; v
CE
= 390v, i
CE
= 33a; v
GE
= 15v
图. 13
- 典型值 活力 丧失 vs. r
G
T
J
= 125°c; l = 200µh; v
CE
= 390v, i
CE
= 33a; v
GE
= 15v
图. 16
- 典型值 电容 vs. v
CE
V
GE
= 0v; f = 1mhz
图. 15
- 典型值 输出 电容
贮存 活力 vs. v
CE
图. 17
- 典型 门 承担
vs. v
GE
I
CE
= 33a
0 5 10 15 20 25
R
G
(
)
300
400
500
600
700
800
900
1000
E
n
e
r
g
y
(
µ
J
)
E
E
0 5 10 15 20 25
R
G
(
)
10
100
1000
S
w
i
c
h
i
n
g
T
i
m
e
(
n
s
)
t
R
td
t
F
td
0 50 100 150 200 250
Q
G
, 总的 门 承担 (nc)
0
2
4
6
8
10
12
14
16
V
G
E
(
V
)
400V
0 20 40 60 80 100
V
CE
(v)
10
100
1000
10000
C
一个
p
一个
c
i
t
一个
n
c
e
(
p
F
)
Cies
Coes
Cres
0 100 200 300 400 500 600 700
V
CE
(v)
0
10
20
30
40
E
o
e
s
(
µ
J
)
图. 18
- normalized 典型值 v
ce(在)
vs. 接合面 温度
I
C
= 33a, v
GE
= 15v
-50 0 50 100 150 200
T
J
(°c)
0.8
1.0
1.2
1.4
N
o
r
m
一个
l
i
z
e
d
V
C
E
(
o
n
)
(
V
)
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