AF2301P
20v p-频道 增强 模式 场效应晶体管
anachip corp.
www.anachip.com.tw rev. 1.1 jul 20, 2004
2/4
绝对 maximum 比率
(t
一个
=25ºc 除非 否则 指出)
标识 参数 比率 单位
V
DS
流-源 电压 -20 V
V
GS
门-源 电压 ±8 V
I
D
持续的 流 电流 -2.3 一个
I
DM
搏动 流 电流 -10 一个
T
一个
=25ºc 1.25
P
D
最大 电源 消耗
T
一个
=70ºc 0.8
W
T
J
运行 接合面 温度 +150 ºC
T
J
, t
STG
运行 接合面 和 存储 温度 范围 -55 至 +150 ºC
热的 效能
标识 参数
限制
单位
T
L
含铅的 温度 (1/8” 从 情况) 5 S
R
θ
JA
接合面 至 包围的 热的 阻抗 (pcb 挂载) 100 ºc/w
便条:
表面 挂载 在 fr4 板 t <5 秒.
电的 特性
比率 i
D
=-2.3a, (t
一个
=25
o
c 除非 否则 指出)
限制
标识 参数
测试 情况
最小值 Typ. 最大值
单位
静态的
BV
DSS
流-源 损坏 电压 V
GS
=0v, i
D
=-250ua -20 - - v
V
GS
=-4.5v, i
D
=-2.8a - 95 130
R
ds(在)
流-源 在-状态 阻抗
V
GS
=-2.5v, i
D
=-2.0a - 122 190
m
Ω
V
gs(th)
门 门槛 电压 V
DS
= v
GS
, i
D
=-250ua -0.45 - - V
I
DSS
零 门 电压 流 电流 V
DS
=-16v, v
GS
=0v - - -1.0 ua
I
GSS
门 身体 泄漏 V
GS
=±8v, v
DS
=0v - - ±100 nA
I
d(在)
在-状态 流 电流 V
DS
=-5v, v
GS
=-10v -6 - - 一个
g
fs
向前 tranconductance V
DS
=-5v, i
D
=-2.8a - 6.5 - s
动态
Q
g
总的 门 承担 - 5.4 10
Q
gs
门-源 承担 - 0.8 -
Q
gd
门-流 承担
V
DS
=-6v, i
D
=-2.8a,
V
GS
=-4.5v
- 1.1 -
nC
t
d(在)
转变-在 延迟 时间 - 5 25
t
r
转变-在 上升 时间 - 19 60
t
d(止)
转变-止 延迟 时间 - 95 110
t
f
转变-止 下降-时间
V
DD
=-6v, r
L
=6
Ω
,
I
D
=-1a, v
GEN
=-4.5v,
R
G
=6
Ω
- 65 80
nS
C
iss
输入 电容 - 447 -
C
oss
输出 电容 - 127 -
C
rss
反转 转移 电容
V
DS
=-6v, v
GS
=0v,
f=1.0mhz
- 80 -
pF
源-流 二极管
I
S
最大值 二极管 向前 电流 - - -1.6 一个
V
SD
二极管 向前 电压 I
S
=-1.6a, v
GS
=0v - -0.8 -1.2 v
便条:
脉冲波 测试: 脉冲波 宽度 <300us, 职责 循环 < 2%
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