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资料编号:126389
 
资料名称:AF2301PWLA
 
文件大小: 131.99K
   
说明
 
介绍:
20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
AF2301P
20v p-频道 增强 模式 场效应晶体管
这个 数据手册 包含 新 产品 信息. anachip corp. reserves 这 权利 至 modify 这 产品 规格 没有注意. 非 责任 是 assumed 作 一个 结果 的 这 使用 的
这个 产品. 非 权利 下面 任何 专利权 accompany 这 出售 的 这 产品.
rev. 1.1 jul 20, 2004
1/4
特性
- 先进的 trench 处理 技术
- 高 密度 cell 设计 为 过激 低 在-阻抗
- 极好的 热的 和 电的 能力
- 紧凑的 和 低 profile sot-23 包装
3
21
(顶 视图)
1. g
2. s
3. d
产品 summary
V
DS
= - 20v
R
ds (在)
, v
GS
@-4.5v, i
DS
@-2.8a =130m
.
R
ds (在)
, v
GS
@-2.5v, i
DS
@-2.0a =190m
.
管脚 描述
管脚
非.
管脚
名字
描述
1 g
2 s
3 d
订货 信息
AX2301Px x x
PN
包装
特性
f :场效应晶体管 w: sot23
含铅的 自由
blank : 正常的
l : 含铅的 自由 包装
包装
blank : tube 或者 大(量)
一个 : 录音带 &放大; 卷轴
块 图解
S
G
D
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