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资料编号:137019
 
资料名称:AO3407
 
文件大小: 297.24K
   
说明
 
介绍:
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
 
 


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标识
V
DS
V
GS
I
DM
T
J
, t
STG
标识 典型值 最大值
65 90
85 125
R
θ
JL
43 60
W
最大 接合面-至-含铅的
C
稳步的-状态
°c/w
热的 特性
参数 单位
最大 接合面-至-包围的
一个
t
10s
R
θ
JA
°c/w
最大 接合面-至-包围的
一个
稳步的-状态
°c/w
±20gate-源 电压
流-源 电压 -30
持续的 流
电流
一个
最大 UnitsParameter
T
一个
=25°C
T
一个
=70°C
绝对 最大 比率 t
一个
=25°c 除非 否则 指出
V
V
-3.5
-20
搏动 流 电流
B
电源 消耗
一个
T
一个
=25°C
接合面 和 存储 温度 范围
一个
P
D
°C
1.4
1
-55 至 150
T
一个
=70°C
I
D
-4.1
AO3407
p-频道 增强 模式 地方 效应 晶体管
8月 2002
特性
V
DS
(v) = -30v
I
D
= -4.1 一个
R
ds(在)
< 52m
(v
GS
= -10v)
R
ds(在)
< 87m
(v
GS
= -4.5v)
一般 描述
这 ao3407 使用 先进的 trench 技术 至
提供 极好的 r
ds(在)
低 门 承担. 这个
设备 是 合适的 为 使用 作 一个 加载 转变 或者 在 pwm
产品.
S
G
D
至-236
(sot-23)
顶 视图
G
D
S
alpha &放大; omega 半导体, 有限公司.
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