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资料编号:137019
 
资料名称:AO3407
 
文件大小: 297.24K
   
说明
 
介绍:
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
 
 


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AO3407
标识 最小值 典型值 最大值 单位
BV
DSS
-30 V
-1
T
J
=55°C
-5
I
GSS
±100 nA
V
gs(th)
-1 -1.8 -3 V
I
d(在)
-10 一个
40.5 52
T
J
=125°C
57 73
64 87
m
g
FS
5.5 8.2 S
V
SD
-0.77 -1 V
I
S
-2.2 一个
C
iss
700 pF
C
oss
120 pF
C
rss
75 pF
R
g
10
Q
g
14.3 nC
Q
g
7nC
Q
gs
3.1 nC
Q
gd
3nC
t
d(在)
8.6 ns
t
r
5ns
t
d(止)
28.2 ns
t
f
13.5 ns
t
rr
27
ns
Q
rr
15 nC
动态 参数
最大 身体-二极管 持续的 电流
门 阻抗 V
GS
=0v, v
DS
=0v, f=1mhz
V
GS
=0v, v
DS
=-15v, f=1mhz
输入 电容
输出 电容
转变-在 上升 时间
转变-止 delaytime
V
GS
=-10v, v
DS
=-15v, r
L
=3.6
,
R
GEN
=3
转变-止 下降 时间
转变-在 delaytime
切换 参数
总的 门 承担 (4.5v)
门 源 承担
门 流 承担
总的 门 承担 (10v)
V
GS
=-4.5v, v
DS
=-15v, i
D
=-4a
m
V
GS
=-4.5v, i
D
=-3a
I
S
=-1a,v
GS
=0V
V
DS
=-5v, i
D
=-4a
R
ds(在)
静态的 流-源 在-阻抗
向前 跨导
二极管 向前 电压
I
DSS
µ
一个
门 门槛 电压 V
DS
=V
GS
I
D
=-250
µ
一个
V
DS
=-24v, v
GS
=0V
V
DS
=0v, v
GS
=±20V
零 门 电压 流 电流
门-身体 泄漏 电流
电的 特性 (t
J
=25°c 除非 否则 指出)
静态的 参数
参数 情况
身体 二极管 反转 恢复 时间
身体 二极管 反转 恢复 承担
I
F
=-4a, di/dt=100a/
µ
s
流-源 损坏 电压
在 状态 流 电流
I
D
=-250
µ
一个, v
GS
=0V
V
GS
=-4.5v, v
DS
=-5v
V
GS
=-10v, i
D
=-4.1a
反转 转移 电容
I
F
=-4a, di/dt=100a/
µ
s
一个: 这 值 的 r
θ
JA
是 量过的 和 这 设备 挂载 在 1in
2
fr-4 板 和 2oz. 铜, 在 一个 安静的 空气 环境 和 t
一个
=25°c. 这
值 在 任何 一个 给 应用 取决于 在 这 用户's 明确的 板 设计. 这 电流 比率 是 为基础 在 这 t
10s 热的 阻抗
比率.
b: repetitive 比率, 脉冲波 宽度 限制 用 接合面 温度.
c. 这 r
θ
JA
是 这 总 的 这 热的 impedence 从 接合面 至 含铅的 r
θ
JL
和 含铅的 至 包围的.
d. 这 静态的 特性 在 计算数量 1 至 6,12,14 是 得到 使用 80
µ
s 脉冲, 职责 循环 0.5% 最大值
e. 这些 tests 是 执行 和 这 设备 挂载 在 1 在
2
fr-4 板 和 2oz. 铜, 在 一个 安静的 空气 环境 和 t
一个
=25°c. 这
soa 曲线 提供 一个 单独的 脉冲波 比率.
alpha &放大; omega 半导体, 有限公司.
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