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资料编号:137763
 
资料名称:AP9973M
 
文件大小: 73.87K
   
说明
 
介绍:
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
电的 characteristics@t
j
=25
o
c(除非 否则 指定)
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
BV
DSS
流-源 损坏 电压 V
GS
=0v, i
D
=250uA 60 - - V
Δ
B
V
DSS
/
Δ
T
j
损坏 电压 温度 系数
涉及 至 25
, i
D
=1mA - 0.06 - v/
R
ds(在)
静态的 流-源 在-阻抗
2
V
GS
=10v, i
D
=3.9a - - 80
m
Ω
V
GS
=4.5v, i
D
=2A - - 100
m
Ω
V
gs(th)
门 门槛 电压 V
DS
=V
GS
, i
D
=250uA 1 - 3 V
g
fs
向前 跨导 V
DS
=10v, i
D
=3.9a - 3.5 - S
I
DSS
流-源 泄漏 电流 (t
j
=25
o
c)
V
DS
=60v, v
GS
=0V - - 1
uA
流-源 泄漏 电流 (t
j
=70
o
c)
V
DS
=48v ,v
GS
=0V - - 25
uA
I
GSS
门-源 泄漏 V
GS
=--
nA
Q
g
总的 门 承担
2
I
D
=3.9a - 8 13
nC
Q
gs
门-源 承担 V
DS
=48V - 2 -
nC
Q
gd
门-流 ("miller") 承担 V
GS
=4.5v - 4 -
nC
t
d(在)
转变-在 延迟 时间
2
V
DS
=30V - 8 -
ns
t
r
上升 时间 I
D
=1A - 4 -
ns
t
d(止)
转变-止 延迟 时间 R
G
=3.3
Ω
,
V
GS
=10V - 20 -
ns
t
f
下降 时间 R
D
=30
Ω
-6-
ns
C
iss
输入 电容 V
GS
=0V - 700 1120
pF
C
oss
输出 电容 V
DS
=25V - 80 -
pF
C
rss
反转 转移 电容 f=1.0mhz - 50 -
pF
源-流 二极管
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
V
SD
向前 在 电压
2
I
S
=3.9a, v
GS
=0V - - 1.2 V
t
rr
反转 恢复 时间 I
S
=3.9a,
V
GS
=0
V
, - 28 - ns
Q
rr
反转 恢复 承担 di/dt=100a/µs - 35 - nC
注释:
1.脉冲波 宽度 限制 用 最大值 接合面 温度.
2.脉冲波 宽度 <
300us , 职责 循环 <2%.
3.表面 挂载 在 1 在
2
铜 垫子 的 fr4 板 ; 135
/w 当 挂载 在 最小值 铜 垫子.
AP9973M
± 20v
±
100
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