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资料编号:137763
 
资料名称:AP9973M
 
文件大小: 73.87K
   
说明
 
介绍:
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
图 7. 门 承担 特性 图 8. 典型 电容 特性
图 9. 最大 safe 运行 范围 图 10. 有效的 瞬时 热的 阻抗
图 11. 切换 时间 波形 图 12. 门 承担 波形
AP9973M
0
2
4
6
8
10
12
14
0 5 10 15 20 25 30 35 40
Q
G
, 总的 门 承担 (nc)
V
GS
, 门 至 源 电压 (v)
V
DS
=48V
V
DS
=38V
V
DS
=30V
I
D
=3.9a
t
d(在)
t
r
t
d(止)
t
f
V
DS
V
GS
10%
90%
Q
V
G
4.5v
Q
GS
Q
GD
Q
G
承担
10
100
1000
10000
1 5 9 1317212529
V
DS
, 流-至-源 电压 (v)
c (pf)
f=1.0mhz
Ciss
Coss
Crss
0.01
0.1
1
10
100
0.1 1 10 100 1000
V
DS
, 流-至-源 电压 (v)
I
D
(一个)
T
一个
=25
o
C
单独的 脉冲波
1ms
10ms
100ms
1s
直流
0.001
0.01
0.1
1
0.0001 0.001 0.01 0.1 1 10 100 1000
t , 脉冲波 宽度 (s)
normalized 热的 回馈 (r
thja
)
0.01
0.05
0.1
0.2
职责 因素=0.5
单独的 脉冲波
P
DM
职责 因素 = t/t
顶峰 t
j
= p
DM
x r
thja
+ t
一个
Rthja=135
℃℃
/w
t
T
0.02
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