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资料编号:138350
 
资料名称:APM4430
 
文件大小: 179.27K
   
说明
 
介绍:
N-Channel Enhancement Mode MOSFET
 
 


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版权
anpec electronics corp.
rev. 一个.1 - oct., 2001
APM4430
www.anpec.com.tw
4
0 102030405060708090
0
2
4
6
8
10
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
典型 特性
在-阻抗 vs. 门-至-源 电压
T
J
-接合面 温度 (°c)
门 承担
Q
G
-门 承担 (nc)
V
GS
-门-源 电压 (v)
R
DS
(在)-在-阻抗(
)
(normalized)
在-阻抗 vs. 接合面 温度
在-阻抗 vs. 接合面 温度
0246810
0.002
0.004
0.006
0.008
0.010
0.012
0.014
0.016
I
D
=23A
-50-250 255075100125150
0.000
0.001
0.002
0.003
0.004
0.005
0.006
0.007
0.008
V
GS
=10V
I
D
= 23a
V
GS
=10V
I
D
= 23a
V
DS
=15V
I
D
= 23a
V
GS
-门-至-源 电压 (v)
R
DS
(在)-在 阻抗 (
)
T
J
-接合面 温度 (°c )
R
DS
(在)-在 阻抗 (
)
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