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资料编号:138350
 
资料名称:APM4430
 
文件大小: 179.27K
   
说明
 
介绍:
N-Channel Enhancement Mode MOSFET
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
n-频道 增强 模式 场效应晶体管
版权
anpec electronics corp.
rev. 一个.1 - oct., 2001
APM4430
www.anpec.com.tw
1
anpec reserves 这 正确的 至 制造 改变 至 改进 可靠性 或者 manufacturability 没有 注意, 和 advise
客户 至 获得 这 最新的 版本 的 相关的 信息 至 核实 在之前 放置 顺序.
APM4430
处理 代号
温度 范围
包装 代号
包装 代号
运行 接合面 温度 范围
c : -55 至 150°c
处理 代号
TU: tube
TR: tape &放大;Reel
APM4430 k :
APM4430
XXXXX
xxxxx - 日期 代号
管脚 描述
订货 和 标记 信息
特性
产品
绝对 最大 比率
(t
一个
= 25
°
c 除非 否则 指出)
标识
参数 比率 单位
V
DSS
流-源 电压 30
V
GSS
门-源 电压 ±20
V
I
D
最大 流 电流 – 持续的 23
I
DM
最大 流 电流 – 搏动 ± 60
一个
电源 管理 在 notebook 计算机 ,
可携带的 设备 和 电池 powered
系统 .
5
6
7
8
1
2
3
4
所以
8
30v/23a , r
ds(在)
=4.5m
(典型值.) @ v
GS
=10V
R
ds(在)
=7m
(典型值.) @ v
GS
=5V
••
••
超级的 高 dense cell 设计 为 极其
低 r
ds(在)
••
••
可依靠的 和 坚毅的
••
••
所以-8 包装
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