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资料编号:138432
 
资料名称:APM4532
 
文件大小: 205.51K
   
说明
 
介绍:
Dual Enhancement Mode MOSFET (N-and P-Channel)
 
 


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版权
anpec electronics corp.
rev. 一个.1 - sep., 2002
www.anpec.com.tw
7
APM4532
012345
0
5
10
15
20
012345678910
0.000
0.025
0.050
0.075
0.100
0.125
0.150
0.175
0.200
0.225
0.250
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
0.00
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5 6.0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
典型 特性
-v
GS
=4V
-i
d-
流 电流 (一个)
转移 特性
T
J
=-55°c
T
J
=25°C
T
J
=125°C
-v
GS
- 门-至-源 电压 (v)
门槛 电压 vs. 接合面 温度
tj - 接合面 温度 (°c)
-v
gs(th)-
门槛 电压 (v)
(normalized)
-i
DS
=250uA
R
ds(在)
-在-阻抗 (
)
在-阻抗 vs. 流 电流
-i
D
- 流 电流 (一个)
-v
GS
=4.5v
输出 特性
-i
D
-流 电流 (一个)
-v
GS
=6,7,8,9,10v
-v
GS
=5V
-v
DS
- 流-至-源 电压 (v)
-v
GS
=10V
-v
GS
=3V
p-频道
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