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资料编号:138432
 
资料名称:APM4532
 
文件大小: 205.51K
   
说明
 
介绍:
Dual Enhancement Mode MOSFET (N-and P-Channel)
 
 


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版权
anpec electronics corp.
rev. 一个.1 - sep., 2002
www.anpec.com.tw
9
APM4532
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
0.1
1
10
20
0.01 0.1 1 10
0
5
10
15
20
25
30
30
1e-4 1e-3 0.01 0.1 1 10
0.01
0.1
1
2
30
源-流 二极管 向前 电压
-i
S
-源 电流 (一个)
T
J
=150°C
T
J
=25°C
-v
SD
-源-至-流 电压 (v)
典型 特性 (内容.)
电源 (w)
单独的 脉冲波 电源
时间 (秒)
正方形的 波 脉冲波 持续时间 (秒)
normalized 有效的 瞬时
热的 阻抗
normalized 热的 瞬时 impedence, 接合面 至 包围的
1.职责 循环, d=t1/t2
2.每 单位 根基=r
thJA
=62.5°c/w
3.t
JM
-t
一个
=P
DM
Z
thJA
职责 循环=0.5
d=0.2
d=0.1
d=0.05
d=0.02
单独的 脉冲波
p-频道
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