首页 | 最新需求 | 最新现货 | IC库存 | 供应商 | IC英文资料库 | IC中文资料库 | IC价格 | 电路图 | 应用资料 | 技术资料
 IC型号:
您现在的位置:首页 >  IC英文资料库 进入手机版 
 
资料编号:138568
 
资料名称:APT10050LVR
 
文件大小: 60.86K
   
说明
 
介绍:
Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.
 
 


: 点此下载
  浏览型号APT10050LVR的Datasheet PDF文件第1页
1
浏览型号APT10050LVR的Datasheet PDF文件第2页
2

3
浏览型号APT10050LVR的Datasheet PDF文件第4页
4
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
V
DS
, 流-至-源 电压 (伏特) V
DS
, 流-至-源 电压 (伏特)
图示 2, 典型 输出 特性 图示 3, 典型 输出 特性
V
GS
, 门-至-源 电压 (伏特) I
D
, 流 电流 (amperes)
图示 4, 典型 转移 特性 图示 5, r
DS
(在) vs 流 电流
T
C
, 情况 温度 (
°
c) T
J
, 接合面 温度 (
°
c)
图示 6, 最大 流 电流 vs 情况 温度 图示 7, 损坏 电压 vs 温度
T
J
, 接合面 温度 (
°
c) T
C
, 情况 温度 (
°
c)
图示 8, 在-阻抗 vs. 温度 图示 9, 门槛 电压 vs 温度
R
DS
(在), 流-至-源 在 阻抗 I
D
, 流 电流 (amperes) I
D
, 流 电流 (amperes) I
D
, 流 电流 (amperes)
(normalized)
V
GS
(th), 门槛 电压 BV
DSS
, 流-至-源 损坏 R
DS
(在), 流-至-源 在 阻抗 I
D
, 流 电流 (amperes)
(normalized) 电压 (normalized)
0 100 200 300 400 500 0 4 8 12 16 20
02468 01020304050
25 50 75 100 125 150 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150
APT10050LVR
I
D
= 0.5 i
D
[cont.]
V
GS
= 10v
50
40
30
20
10
0
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
1.15
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
50
40
30
20
10
0
50
40
30
20
10
0
25
20
15
10
5
0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
050-5566 rev b
V
DS
> i
D
(在) x r
DS
(在)最大值.
250
µ
秒. 脉冲波 测试
@ <0.5 % 职责 循环
V
GS
=10V
V
GS
=20V
T
J
= +125
°
C
T
J
= +25
°
C
T
J
= -55
°
C
5V
4.5v
4V
5V
4.5v
4V
V
GS
=5.5v, 10v &放大; 15v
V
GS
=5.5v, 10v &放大; 15v
normalized 至
V
GS
= 10v @ 0.5 i
D
[cont.]
资料评论区:
点击回复标题作者最后回复时间

标 题:
内 容:
用户名:
手机号:    (*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)
      
关于我们 | 联系我们
电    话13410210660             QQ : 84325569   点击这里与集成电路资料查询网联系
联系方式: E-mail:CaiZH01@163.com