首页 | 最新需求 | 最新现货 | IC库存 | 供应商 | IC英文资料库 | IC中文资料库 | IC价格 | 电路图 | 应用资料 | 技术资料
 IC型号:
您现在的位置:首页 >  IC英文资料库 进入手机版 
 
资料编号:138568
 
资料名称:APT10050LVR
 
文件大小: 60.86K
   
说明
 
介绍:
Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.
 
 


: 点此下载
  浏览型号APT10050LVR的Datasheet PDF文件第1页
1
浏览型号APT10050LVR的Datasheet PDF文件第2页
2
浏览型号APT10050LVR的Datasheet PDF文件第3页
3

4
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
V
DS
, 流-至-源 电压 (伏特) V
DS
, 流-至-源 电压 (伏特)
图示 10, 最大 safe 运行 范围 图示 11, 典型 电容 vs 流-至-源 电压
Q
g
, 总的 门 承担 (nc) V
SD
, 源-至-流 电压 (伏特)
图示 12, 门 charges vs 门-至-源 电压 图示 13, 典型 源-流 二极管 向前 电压
V
GS
, 门-至-源 电压 (伏特) I
D
, 流 电流 (amperes)
I
DR
, 反转 流 电流 (amperes) c, 电容 (pf)
1 5 10 50 100 500 1000 .01 .1 1 10 50
0 100 200 300 400 500 0 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0
APT10050LVR
T
C
=+25
°
C
T
J
=+150
°
C
单独的 脉冲波
100
50
10
5
1
.5
.1
20
16
12
8
4
0
30,000
10,000
5,000
1,000
500
100
100
50
10
5
1
050-5566 rev b
运作 here
限制 用 r
DS
(在)
10
µ
S
100
µ
S
1mS
10mS
100mS
直流
T
J
=+150
°
c t
J
=+25
°
C
V
DS
=500V
V
DS
=200V
V
DS
=100V
apt's 设备 是 covered 用 一个 或者 更多 的 这 下列的 u.s.专利权: 4,895,810 5,045,903 5,089,434 5,182,234 5,019,522 5,262,336
5,256,583 4,748,103 5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058
C
rss
C
oss
C
iss
I
D
= i
D
[cont.]
至-264 包装 外形
19.51 (.768)
20.50 (.807)
19.81 (.780)
21.39 (.842)
25.48 (1.003)
26.49 (1.043)
2.29 (.090)
2.69 (.106)
0.76 (.030)
1.30 (.051)
3.10 (.122)
3.48 (.137)
4.60 (.181)
5.21 (.205)
1.80 (.071)
2.01 (.079)
2.59 (.102)
3.00 (.118)
0.48 (.019)
0.84 (.033)
维度 在 毫米 和 (英寸)
2.29 (.090)
2.69 (.106)
5.79 (.228)
6.20 (.244)
2.79 (.110)
3.18 (.125)
5.45 (.215) bsc
2-plcs.
资料评论区:
点击回复标题作者最后回复时间

标 题:
内 容:
用户名:
手机号:    (*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)
      
关于我们 | 联系我们
电    话13410210660             QQ : 84325569   点击这里与集成电路资料查询网联系
联系方式: E-mail:CaiZH01@163.com