4-170
在-42085 绝对 最大 比率
绝对
标识 参数 单位 最大
[1]
V
EBO
发射级-根基 电压 V 1.5
V
CBO
集电级-根基 电压 V 20
V
CEO
集电级-发射级 电压 V 12
I
C
集电级 电流 毫安 80
P
T
电源 消耗
[2,3]
mW 500
T
j
接合面 温度
°
C 150
T
STG
存储 温度
°
C -65 至 150
热的 阻抗
[2,4]
:
θ
jc
= 130
°
c/w
注释:
1. 永久的 损坏 将 出现 如果
任何 的 这些 限制 是 超过.
2. T
情况
= 25
°
c.
3. 减额 在 7.7 mw/
°
c 为 t
C
> 85
°
c.
4. 看 度量 部分
“thermal resistance” 为 更多
信息.
|S
21E
|
2
嵌入 电源 增益; v
CE
= 8 v, i
C
= 35 毫安 f = 1.0 ghz dB 15.5 17.0
f = 2.0 ghz 11.0
f = 4.0 ghz 5.0
P
1 db
电源 输出 @ 1 db 增益 压缩 f = 2.0 ghz dBm 20.5
V
CE
= 8 v, i
C
= 35 毫安 f= 4.0 ghz 20.0
G
1 db
1 db compressed 增益; v
CE
= 8 v, i
C
= 35 毫安 f = 2.0 ghz dB 14.0
f = 4.0 ghz 9.5
NF
O
最佳的 噪音 图示: v
CE
= 8 v, i
C
= 10 毫安 f = 2.0 ghz dB 2.0
f = 4.0 ghz 3.5
G
一个
增益 @ nf
O
; v
CE
= 8 v, i
C
= 10 毫安 f = 2.0 ghz dB 13.5
f = 4.0 ghz 9.5
f
T
增益 带宽 产品: v
CE
= 8 v, i
C
= 35 毫安 GHz 8.0
h
FE
向前 电流 转移 比率; v
CE
= 8 v, i
C
= 35 毫安 — 30 150 270
I
CBO
集电级 截止 电流; v
CB
= 8 v
µ
一个 0.2
I
EBO
发射级 截止 电流; v
EB
= 1 v
µ
一个 2.0
C
CB
集电级 根基 电容
[1]
: v
CB
=8V,f=1MHz pF 0.32
便条:
1. 为 这个 测试, 这 发射级 是 grounded.
电的 规格, t
一个
= 25
°
C
标识 参数 和 测试 情况 单位 最小值 典型值 最大值
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