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向上 至 6 ghz 中等 电源
硅 双极 晶体管
技术的 数据
特性
• 高 输出 电源:
20.5 dbm 典型 p
1 db
在 2.0␣ GHz
• 高 增益 在 1 db
压缩:
14.0 db 典型
G
1 db
在 2.0␣ GHz
• 低 噪音 图示:
2.0 db 典型
NF
O
在 2.0␣ GHz
• 高 增益-带宽
产品:
8.0 ghz 典型 f
T
• 低 费用 塑料 包装
在-42085
85 塑料 包装
描述
hewlett-packard’s 在-42085 是 一个
一般 目的 npn 双极
晶体管 那 提供 极好的
高 频率 效能. 这
在-42085 是 housed 在 一个 低 费用
.085" 直径 塑料 包装.
这 4 micron 发射级-至-发射级
程度 使能 这个 晶体管 至 是
使用 在 许多 不同的 功能.
这 20 发射级 finger interdigi-
tated geometry 产量 一个 中等
sized 晶体管 和 阻抗
那 是 容易 至 相一致 为 低
噪音 和 中等 电源 applica-
tions. 产品 包含 使用 在
无线的 系统 作 一个 lna, 增益
平台, 缓存区, 振荡器, 和
mixer. 一个 最佳的 噪音 相一致
near 50␣
Ω
向上 至 1 ghz, 制造 这个
设备 容易 至 使用 作 一个 低 噪音
放大器.
这 在-42085 双极 晶体管 是
fabricated 使用 hewlett-packard’s
10 ghz f
T
自-排整齐-晶体管
(sat) 处理. 这 消逝 是 渗氮
钝化的 为 表面 保护.
极好的 设备 统一,
效能 和 可靠性 是
生产 用 这 使用 的 ion-
implantation, 自-排成直线
技巧, 和 金 metalization
在 这 fabrication 的 这个 设备.
5965-8913e
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