AT45DB041
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位 (pa10-pa0) 那 具体说明 这 页 在 主要的 记忆 至
是 rewritten, 和 nine 额外的 don't 小心 位. 当 一个
低 至 高 转变 occurs 在 这 cs
管脚, 这 部分 将 第一
转移 数据 从 这 页 在 主要的 记忆 至 一个 缓存区 和
然后 程序 这 数据 从 这 缓存区 后面的 在 一样 页
的 主要的 记忆. 这 运作 是 内部 自-安排时间 和
应当 引领 放置 在 一个 最大 时间 的 t
EP
. 在 这个
时间, 这 状态 寄存器 将 表明 那 这 部分 是 busy.
如果 这 主要的 记忆 是 编写程序 或者 reprogrammed
sequentially 页 用 页, 然后 这 程序编制 algo-
rithm 显示 在 图示 1 是 推荐. 否则, 如果
多样的 字节 在 一个 页 或者 一些 页 是 编写程序
randomly 在 这 主要的 记忆, 然后 这 程序编制 algo-
rithm 显示 在 图示 2 是 推荐.
状态 寄存器:
这 状态 寄存器 能 是 使用 至
决定 这 设备的 准备好/busy 状态, 这 结果 的 一个
主要的 记忆 页 至 缓存区 对比 运作, 或者 这
设备 密度. 至 读 这 状态 寄存器, 一个 opcode 的
57h 必须 是 承载 在 这 设备. 之后 这 last 位 的 这
opcode 是 shifted 在, 这 第八 位 的 这 状态 寄存器,
开始 和 这 msb (位 7), 将 是 shifted 输出 在 这 所以
管脚 在 这 next 第八 时钟 循环. 这 five 大多数-signifi-
cant 位 的 这 状态 寄存器 将 包含 设备 informa-
tion, 当 这 remaining 三 least-重大的 位 是
保留 为 future 使用 和 将 有 未阐明的 值.
之后 位 0 的 这 状态 寄存器 有 被 shifted 输出, 这
sequence 将 repeat 它自己 (作 长 作 cs
仍然是 低 和
sck 是 正在 toggled) 开始 又一次 和 位 7. 这 数据 在
这 状态 寄存器 是 constantly updated, 所以 各自 repeating
sequence 将 输出 新 数据.
准备好/busy 状态 是 表明 使用 位 7 的 这 状态 reg-
ister. 如果 位 7 是 一个 1, 然后 这 设备 是 不 busy 和 是 准备好
至 接受 这 next command. 如果 位 7 是 一个 0, 然后 这 设备
是 在 一个 busy 状态. 这 用户 能 continuously poll 位 7 的 这
状态 寄存器 用 stopping sck once 位 7 有 被 输出.
这 状态 的 位 7 将 continue 至 是 输出 在 这 所以 管脚,
和 once 这 设备 是 非 变长 busy, 这 状态 的 所以 将
改变 从 0 至 1. 那里 是 六 行动 这个 能
导致 这 设备 至 是 在 一个 busy 状态: 主要的 记忆 页
至 缓存区 转移, 主要的 记忆 页 至 缓存区 对比,
缓存区 至 主要的 记忆 页 程序 和 建造-在 擦掉,
缓存区 至 主要的 记忆 页 程序 没有 建造-在
擦掉, 主要的 记忆 页 程序, 和 自动 页
rewrite.
这 结果 的 这 大多数 recent 主要的 记忆 页 至 缓存区
对比 运作 是 表明 使用 位 6 的 这 状态
寄存器. 如果 位 6 是 一个 0, 然后 这 数据 在 这 主要的 记忆
页 matches 这 数据 在 这 缓存区. 如果 位 6 是 一个 1, 然后 在
least 一个 位 的 这 数据 在 这 主要的 记忆 页 做 不
相一致 这 数据 在 这 缓存区.
这 设备 密度 是 表明 使用 位 5, 4, 和 3 的 这
状态 寄存器. 为 这 at45db041, 这 三 位 是 0, 1,
和 1. 这 decimal 值 的 这些 三 二进制的 位 做
不 同等看待 至 这 设备 密度; 这 三 位 代表 一个
combinational 代号 联系 至 differing densities 的 串行
dataflash 设备, 准许 一个 总的 的 第八 不同的 密度
配置.
读/程序 模式 summary
这 模式 列表 在之上 能 是 separated 在 二 groups
— 模式 这个 制造 使用 的 这 flash 记忆 排列
(组 一个) 和 模式 这个 做 不 制造 使用 的 这 flash
记忆 排列 (组 b).
组 一个 模式 组成 的:
1. 主要的 记忆 页 读
2. 主要的 记忆 页 至 缓存区 1 (或者 2) 转移
3. 主要的 记忆 页 至 缓存区 1 (或者 2) 对比
4. 缓存区 1 (或者 2) 至 主要的 记忆 页 程序 和
建造-在 擦掉
5. 缓存区 1 (或者 2) 至 主要的 记忆 页 程序 和-
输出 建造-在 擦掉
6. 主要的 记忆 页 程序
7. 自动 页 rewrite
组 b 模式 组成 的:
1. 缓存区 1 (或者 2) 读
2. 缓存区 1 (或者 2) 写
3. 状态 读
如果 一个 组 一个 模式 是 在 progress (不 全部地 完成) 然后
另一 模式 在 组 一个 应当 不 是 started. 不管怎样,
在 这个 时间 在 这个 一个 组 一个 模式 是 在 progress,
模式 在 组 b 能 是 started.
这个 给 这 串行 dataflash 这 能力 至 virtually
accommodate 一个 持续的 数据 stream. 当 数据 是
正在 编写程序 在 主要的 记忆 从 缓存区 1, 数据
能 是 承载 在 缓存区 2 (或者 恶行 对抗). 看 应用
便条 一个-4 (“using atmel’s 串行 dataflash”) 为 更多
详细信息.
硬件 页 写 保护:
如果 这 wp
管脚 是
使保持 低, 这 第一 256 页 的 这 主要的 记忆 不能 是
reprogrammed. 这 仅有的 方法 至 reprogram 这 第一 256
页 是 至 第一 驱动 这 保护 管脚 高 和 然后 使用 这
程序 commands 先前 提到.
状态 寄存器 format
位 7 位 6 位 5 位 4 位 3 位 2 位 1 位 0
rdy/busy
COMP011XXX
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