AT45DB041-RC_集成电路资料查询网

AT45DB041
8
重置 定时 (inactive 时钟 极性 低 显示)
command sequence 为 读/写 行动 (除了 状态 寄存器 读)
注释: 1. “r” designates 位 保留 为 大 densities.
2. 它 是 推荐 那 “r” 是 一个 logical “0” 为 densities 的 4m 位 或者 小.
3. 为 densities 大 比 4m 位, 这 “r” 位 变为 这 大多数 重大的 页 地址 位 为 这 适合的 密度.
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重置
所以
高 阻抗 高 阻抗
SI
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SI CMD 8 位
8 位
8 位
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保留 为
大 densities
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(pa10-pa0)
字节/缓存区 地址
(ba8-ba0/bfa8-bfa0)
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AT45DB041 8 重置定时 (inactive 时钟极性低显示) command sequence 为读/写行动 (除了状态寄存器读) 注释: 1. “r” designates 位保留为大 densities. 2. 它是推荐那 “r” 是一个 logical “0” 为 densities 的 4m 位或者小. 3. 为 densities 大比 4m 位, 这 “r” 位变为这大多数重大的页地址位为这适合的密度. CS SCK 重置所以高阻抗高阻抗 SI tRST tREC tCSS SI CMD 8 位 8 位 8 位 MSB 保留为大 densities 页地址 (pa10-pa0) 字节/缓存区地址 (ba8-ba0/bfa8-bfa0) lsbr r r r x x x x x x x x x x x x x x x x x x x x

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