AT45DB321
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ries 那 是 accessed randomly 和 多样的 地址 线条
和 一个 并行的 接口, 这 dataflash 使用 一个 串行 inter-
面向 至 sequentially 进入 它的 数据. 这 简单的 串行 inter-
面向 facilitates 硬件 布局, 增加 系统
可靠性, 降低 切换 噪音, 和 减少 包装
大小 和 起作用的 管脚 计数. 这 设备 是 优化 为 使用 在
许多 商业的 和 工业的 产品 在哪里 高
密度, 低 管脚 计数, 低 电压, 和 低 电源 是
essential. 典型 产品 为 这 dataflash 是 数字的
voice 存储, image 存储, 和 数据 存储. 这
设备 运作 在 时钟 发生率 向上 至 13 mhz 和 一个
典型 起作用的 读 电流 消耗量 的 4 毫安.
至 准许 为 简单的 在-系统 reprogrammability, 这
at45db321 做 不 需要 高 输入 电压 为 pro-
gramming. 这 设备 运作 从 一个 单独的 电源 sup-
ply, 2.7v 至 3.6v, 为 两个都 这 程序 和 读
行动. 这 at45db321 是 使能 通过 这 碎片
选择 管脚 (cs
) 和 accessed 通过 一个 三-线 接口
consisting 的 这 串行 输入 (si), 串行 输出 (所以), 和
这 串行 时钟 (sck).
所有 程序编制 循环 是 自-安排时间, 和 非 独立的
擦掉 循环 是 必需的 在之前 程序编制.
块 图解
记忆 排列
至 提供 最优的 flexibility, 这 记忆 排列 的 这
at45db321 是 分隔 在 三 水平 的 granularity com-
prising 的 sectors, blocks, 和 页. 这 记忆 archi-
tecture 图解 illustrates 这 损坏 的 各自 水平的 和
详细信息 这 号码 的 页 每 sector 和 块. 所有 pro-
gram 行动 至 这 dataflash 出现 在 一个 页 用 页
基准; 不管怎样, 这 optional 擦掉 行动 能 是 每-
formed 在 这 块 或者 页 水平的.
flash 记忆 排列
页 (528 字节)
缓存区 2 (528 字节)缓存区 1 (528 字节)
i/o 接口
SCK
CS
重置
V
CC
地
rdy/busy
WP
SOSI
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