飞利浦 半导体 产品 数据
AU5790单独的 线 能 transceiver
2001 将 18
8
标识 unitmax.典型值.最小值.conditionsparameter
管脚 canh (持续)
–I
CANHH
总线 短的 电路 电流 在
高-速 模式
V
CANH
= –1 v,
txd = 0 v; nstb = 5 v; en = 0 v;
8 v < v
BAT
< 16 v
50 190 毫安
I
CANLG
总线 泄漏 电流 在 丧失 的
地面
(i_能_lg = i_canh + i_rth)
0 v < v
BAT
< 16 v;
看 图示 3 在 这 测试 电路
部分
–50 50
µ
一个
T
sd
热的 关闭 便条 2 155 190
°
C
T
hys
热的 关闭 hysteresis 便条 2 5 15
°
C
V
T
总线 输入 门槛 5.8 v < v
BAT
< 27 v,
所有 模式 除了 睡眠 模式
1.8 2.2 V
V
TL
总线 输入 门槛, 低 电池 5.5 v < v
BAT
< 5.8 v,
所有 模式 除了 睡眠 模式
1.5 2.2 V
V
TS
总线 输入 门槛 在 睡眠 模式 nstb = 0 v, en = 0 v,
V
BAT
> 11.3 v
6.15 8.1 V
V
TSL
总线 输入 门槛 在 睡眠 模式,
低 电池
nstb = 0 v, en = 0 v,
5.5 v < v
BAT
< 11.3 v
V
BAT
– 4.3 V
BAT
– 3.25 V
管脚 rth
V
RTH1
电压 在 切换 地面 管脚 I
RTH
= 1 毫安 0.1 V
V
RTH2
电压 在 切换 地面 管脚 I
RTH
= 6 毫安 1 V
管脚 nstb, en
V
ih
高 水平的 输入 电压 5.5 v < v
BAT
< 27 v 3 V
V
il
低 水平的 输入 电压 5.5 v < v
BAT
< 27 v 1 V
I
i
输入 电流 V
i
= 1 v 和 v
i
= 5 v 15 50
µ
一个
管脚 txd
V
itxd
txd 输入 门槛 5.5 v < v
BAT
< 27 v 1 3 V
–I
iltxd
txd 低 水平的 输入 电流 在
正常的 模式
nstb = 5 v, en = 5 v, v
TxD
= 0 v 50 180
µ
一个
–I
ihtxd
txd 高 水平的 输入 电流 在
睡眠 模式
nstb = 0 v, en = 0 v, v
TxD
= 5 v –5 10
µ
一个
管脚 rxd
V
olrxd
rxd 低 水平的 输出 电压 I
RxD
= 2.2 毫安;
V
CANH
= 10 v, 所有 模式
0.45 V
I
olrxd
rxd 低 水平的 输出 电流 V
RxD
= 5 v; v
CANH
= 10 v 3 35 毫安
I
ohrxd
rxd 高 水平的 泄漏 V
RxD
= 5 v; v
CANH
= 0 v,
所有 模式
–10 +10
µ
一个
注释:
1. 运作 在 电池 电压 向下 至 5.3 伏特 是 有保证的 用 设计. 运作 高等级的 比 18 伏特 (18 v < v
BAT
< 27 v) 为 向上 至 二
分钟 是 permitted 如果 这 热的 设计 的 这 板 阻止 reaching 这 热的 保护 温度 限制, t
sd
, 否则 这 设备
将 自 保护. 典型地 这些 (所需的)东西 将 是 encountered 在 jump 开始 运作 在 t
amb
85
°
c 和 v
BAT
< 27 v. 谈及 至 这
“thermal characteristics” 部分 的 这个 数据 薄板, 或者 应用 便条 an2005 为 guidance.
2. 这个 参数 是 典型 但是 不 主题 至 生产 测试.
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