7
fn9144.4
六月 6, 2005
Rs1
2.0k
Rs2
2.0k
Q1
Lo1
Co11
4.7µf
D2
BAT54W
Rbt1
Lo2
Q2
10µF
Co21
220µF
Co22
4.7
µF
Rset1
100K
Csoft1
10K
Cfb1
0.01 F
SOFT1
PG1
OCSET1
EN1
地
VSEN1
PGND1
LGATE1
ISEN1
PHASE1
UGATE1
BOOT1
地
VCC
VIN
PGND2
LGATE2
ISEN2
PHASE2
UGATE2
BOOT2
地
PG2
SOFT2
v1 (2.5v)
v2 (1.8v)
DDR
EN2
vcc (5v)
U1
FDS6912A
FDS6912A
4.7µh
Cin1
10µF
Cdc
D1
BAT54W
0
Ω
Cbt2
Rbt2
0
Ω
Q2
Cin2
Co21
Csoft1
0.01µf
Rfb11
17.8k
Rfb12
V
在
Co13
220µF
U1
FDS6912A
ISL6539
OCSET2
VSEN2
Rfb21
10K
Rfb22
10K
Cfb2
Csoft2
0.01µf
Rset2
100K
µ
0.01µf
4.7µf
4.7µh
Cb11
0.15µf
0.15µf
图示 1. 典型 应用 电路 作 双 切换器, vout1 = 2.5v, vout2 = 1.8v
图示 2. 典型 应用 作 ddr 记忆电源 供应, vout1 = 2.5v, vout2 = 1.25v
Rs1
2.0k
Rs2
1.0k
Q1
Lo1
4.6µf
Co11
Cin1
Cdc
4.7µf
D1
BAT54W
Rbt1
0
Ω
Cbt1
0.15µf
0.15µf
Rbt2
0
Ω
Q2
Co21
220µF
Co22
4.7µf
Rset1
100K
Csoft1
0.01µf
Rfb1
Rfb12
10K
Cfb1
0.01µf
SOFT1
PG1
OCSET1
EN1
地
VSEN1
PGND1
LGATE1
ISEN1
PHASE1
UGATE1
BOOT1
VCC
VIN
ocset2_vddq/2
pg2_ref
PGND2
LGATE2
ISEN2
PHASE2
UGATE2
BOOT2
VSEN2
地
SOFT2
Vref
(vddq/2)
Rd1
10K
VDDQ
vddq/2
Rd2
10K
Cf
0.1µf
vddq (2.5v)
vtt (1.25v)
Cref
DDR
Co13
220µF
EN2
vcc (5v)
csoft2 (n/u)
U1
FDS6912A
FDS6912A
4.7µf
10µF
D2
BAT54W
Lo2
1.5µh
Cin2
4.7µf
17.8k
地
Vin
VDDQ
Cref
4.7µf
0.01µf
ISL6539
Cbt2
ISL6539