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资料编号:151936
 
资料名称:STB3NC90Z
 
文件大小: 418.81K
   
说明
 
介绍:
N-CHANNEL 900V - 3.2W - 3.5A D2PAK Zener-Protected PowerMESH⑩III MOSFET
 
 


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STB3NC90Z
电的 特性
(持续)
切换 在
切换 止
源 流 二极管
门-源 齐纳 二极管
便条: 1.
搏动: 脉冲波 持续时间 = 300 µs, 职责 循环 1.5 %.
2. 脉冲波 宽度 限制 用 safe 运行 范围.
3.
V
BV
=
α
t (25°-t) bv
GSO
(25°)
保护 特性 的 门-至-源 齐纳 二极管
这 建造-在 后面的-至-后面的 齐纳 二极管 有 specifically 被 设计 至 增强 不 仅有的 这 设备的
静电释放 能力, 但是 也 至 制造 它们 safely absorb 可能 电压 过往旅客 那 将 occasionally
是 应用 从 门 至 souce. 在 这个 遵守 这 25v 齐纳 电压 是 appropiate 至 达到 一个 效率高的
和 费用-有效的 intervention 至 保护 这 设备的 integrity. 这些 整体的 齐纳 二极管 因此 避免
这 用法 的 外部 组件.
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
t
d(在)
转变-在 延迟 时间
上升 时间
V
DD
= 450 v, i
D
= 1.5 一个
R
G
= 4.7
V
GS
= 10v
(看 测试 电路, 图示 3)
28 ns
t
r
14 ns
Q
g
总的 门 承担
V
DD
= 720v, i
D
= 3a,
V
GS
= 10v
27 38 nC
Q
gs
门-源 承担 8 nC
Q
gd
门-流 承担 10 nC
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
t
r(voff)
止-电压 上升 时间
V
DD
= 720v, i
D
= 3 一个,
R
G
=4.7
Ω,
V
GS
= 10v
(看 测试 电路, 图示 5)
16 ns
t
f
下降 时间 10 ns
t
c
交叉-在 时间 18 ns
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
I
SD
源-流 电流 3.5 一个
I
SDM
(2)
源-流 电流 (搏动) 14 一个
V
SD
(1)
向前 在 电压
I
SD
= 3 一个, v
GS
= 0
1.6 V
t
rr
反转 恢复 时间
I
SD
= 3 一个, di/dt = 100a/µs,
V
DD
= 100v, t
j
= 150°c
(看 测试 电路, 图示 5)
712 ns
Q
rr
反转 恢复 承担 4450 µC
I
RRM
反转 恢复 电流 13 一个
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
BV
GSO
门-源 损坏
电压
igs=± 1ma (打开 流) 25 V
α
T 电压 热的 系数 t=25°c 便条(3) 1.3
10
-4
/°c
Rz 动态 阻抗
I
D
= 50 毫安
90
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