1/9将 2001
STB3NC90Z
n-频道 900v - 3.2
Ω
- 3.5a d
2
PAK
齐纳-保护 powermesh™iii 场效应晶体管
(1)i
SD
≤
3.5a, di/dt
≤
100a/µs, v
DD
≤
V
(br)dss
, t
j
≤
T
JMAX
(*)
.
限制 仅有的 用 最大 温度 允许
■
典型 r
DS
(在) = 3.2
Ω
■
极其 高 dv/dt 和 能力 门
至 - 源 齐纳 二极管
■
100% avalanche 测试
■
非常 低 门 输入 阻抗
■
门 承担 使减少到最低限度
描述
这 第三 一代 的 mesh overlay
™ 电源
mosfets 为 非常 高 电压 exhibits unsurpassed
在-阻抗 每 单位 范围 当 integrating 后面的-至-
后面的 齐纳 二极管 在 门 和 源. 此类 ar-
rangement 给 extra 静电释放 能力 和 高等级的 rug-
gedness 效能 作 要求 用 一个 大 多样性
的 单独的-转变 产品.
产品
■
单独的-结束 smps 在 monitors,
计算机 和 工业的 应用
■
welding 设备
绝对 最大 比率
(•)脉冲波 宽度 限制 用 safe 运行 范围
类型 V
DSS
R
ds(在)
I
D
STB3NC90 900V < 3.5
Ω
3.5 一个
标识 参数 值 单位
V
DS
流-源 电压 (v
GS
= 0)
900 V
V
DGR
流-门 电压 (r
GS
= 20 k
Ω
)
900 V
V
GS
门- 源 电压
± 25 V
I
D
流 电流 (continuos) 在 t
C
= 25°c
3.5 一个
I
D
流 电流 (continuos) 在 t
C
= 100°c
2.2 一个
I
DM
(
●
)
流 电流 (搏动) 14 一个
P
TOT
总的 消耗 在 t
C
= 25°c
100 W
减额 因素 0.8 w/°c
I
GS
门-源 电流 (*) ±50 毫安
V
静电释放(g-s)
门 源 静电释放(hbm-c=100pf, r=15k
Ω)
2.5 KV
dv/dt 顶峰 二极管 恢复 电压 斜度 3 v/ns
T
stg
存储 温度 –65 至 150 °C
T
j
最大值 运行 接合面 温度 150 °C
D
2
PAK
1
3
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