MC33560DWR2_集成电路资料查询网

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图示 8. 最大 card 供应 电流
vs. r
LIM
(v
CC
=5v, v
BAT
=4v)
图示 9. 最大 card 供应 电流
vs. r
LIM
(v
CC
=3v, v
BAT
=2.5v)
图示 10. 低 一侧 转变 饱和 电压
(i
L
=50ma) vs. 温度
图示 11. 整流器 在 饱和 电压
(i
L
=50ma) vs. 温度
图示 12. card 发现 (嵌入) 过滤 时间
vs. 温度
图示 13. card 发现 (extraction) 过滤 时间
vs. 温度
100
rlim (ohms)
20
0
12
L1=47
µ
H
34
icc 最大值 (毫安)
L1=100
µ
H
40
60
80
0
模式 同步
SYNCLK=4MHz
VBAT=4V
5
L1=22
µ
H
100
rlim (ohms)
20
0
12
L1=47
µ
H
34
L1=100
µ
H
40
60
80
0
模式 同步
SYNCLK=4MHz
vbat=2.5v
5
L1=22
µ
H
icc 最大值 (毫安)
120 120
T
一个
, 包围的 温度 (
°
c)
0.02
0.01
0.00
–5 15 9535 55 75
低 一侧 转变 饱和 电压 (v)
0.03
0.04
0.05
0.06
0.07
0.08
–25
T
一个
, 包围的 温度 (
°
c)
0.10
0.05
0.00
–5 15 9535 55 75
整流器 在 饱和 电压 (v)
0.15
0.20
0.25
0.30
0.35
–25
T
一个
, 包围的 温度 (
°
c) T
一个
, 包围的 温度 (
°
c)
80
75
70
115
tfltin, 过滤 时间 (   s)
85
90
95
100
105
110
80
75
70
115
tfltout, 过滤 时间 (   s)
85
90
95
100
105
110
–5 15 9535 55 75–25 –5 15 9535 55 75–25
µ
µ

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MC33560 http://onsemi.com 6 图示 8. 最大 card 供应电流 vs. r LIM (v CC =5v, v BAT =4v) 图示 9. 最大 card 供应电流 vs. r LIM (v CC =3v, v BAT =2.5v) 图示 10. 低一侧转变饱和电压 (i L =50ma) vs. 温度图示 11. 整流器在饱和电压 (i L =50ma) vs. 温度图示 12. card 发现 (嵌入) 过滤时间 vs. 温度图示 13. card 发现 (extraction) 过滤时间 vs. 温度 100 rlim (ohms) 20 0 12 L1=47 µ H 34 icc 最大值 (毫安) L1=100 µ H 40 60 80 0 模式同步 SYNCLK=4MHz VBAT=4V 5 L1=22 µ H 100 rlim (ohms) 20 0 12 L1=47 µ H 34 L1=100 µ H 40 60 80 0 模式同步 SYNCLK=4MHz vbat=2.5v 5 L1=22 µ H icc 最大值 (毫安) 120 120 T 一个 , 包围的温度 ( ° c) 0.02 0.01 0.00 –5 15 9535 55 75 低一侧转变饱和电压 (v) 0.03 0.04 0.05 0.06 0.07 0.08 –25 T 一个 , 包围的温度 ( ° c) 0.10 0.05 0.00 –5 15 9535 55 75 整流器在饱和电压 (v) 0.15 0.20 0.25 0.30 0.35 –25 T 一个 , 包围的温度 ( ° c) T 一个 , 包围的温度 ( ° c) 80 75 70 115 tfltin, 过滤时间 ( s) 85 90 95 100 105 110 80 75 70 115 tfltout, 过滤时间 ( s) 85 90 95 100 105 110 –5 15 9535 55 75–25 –5 15 9535 55 75–25 µ µ

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