m29f400bt, m29f400bb
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自动 备用物品.
如果 cmos 水平 (v
CC
± 0.2v)
是 使用 至 驱动 这 总线 和 这 总线 是 inactive 为
150ns 或者 更多 这 记忆 enters 自动
备用物品 在哪里 这 内部的 供应 电流 是 re-
duced 至 这 cmos 备用物品 供应 电流, i
CC3
.
这 数据 输入/输出 将 安静的 输出 数据 如果 一个
总线 读 运作 是 在 progress.
特定的 总线 行动
额外的 总线 行动 能 是 执行 至
读 这 电子的 signature 和 也 至 应用
和 除去 块 保护. 这些 总线 opera-
tions 是 将 为 使用 用 程序编制 配备-
ment 和 是 不 通常地 使用 在 产品.
它们 需要 v
ID
至 是 应用 至 一些 管脚.
电子的 signature.
这 记忆 有 二
代号, 这 生产者 代号 和 这 设备
代号, 那 能 是 读 至 identify 这 记忆.
这些 代号 能 是 读 用 应用 这 信号
列表 在 tables 5 和 6, 总线 行动.
块 保护
和
blocks unprotection.
各自
块 能 是 separately 保护 相反 acci-
dental 程序 或者 擦掉. 保护 blocks 能 是
unprotected 至 准许 数据 至 是 changed.
那里 是 二 方法 有 为 protecting
和 unprotecting 这 blocks, 一个 为 使用 在 pro-
gramming 设备 和 这 其它 为 在-系统
使用. 为 更远 信息 谈及 至 应用
便条 an1122, 应用 保护 和 unprotec-
tion 至 m29 序列 flash.
command 接口
所有 总线 写 行动 至 这 记忆 是 inter-
preted 用 这 command 接口. commands
组成 的 一个 或者 更多 sequential 总线 写 oper-
ations. 失败 至 注意到 一个 有效的 sequence 的 总线
写 行动 将 结果 在 这 记忆 返回-
ing 至 读 模式. 这 长 command sequences
是 imposed 至 maximize 数据 安全.
这 地址 使用 为 这 commands 改变 de-
pending 在 whether 这 记忆 是 在 16-位 或者 8-
位 模式. 看 也 表格 7, 或者 8, 取决于 在
这 配置 那 是 正在 使用, 为 一个 summary
的 这 commands.
读/重置 command.
这 读/重置 com-
mand returns 这 记忆 至 它的 读 模式 在哪里
它 behaves 像 一个 只读存储器 或者 非易失存储器. 它 也 resets
这 errors 在 这 状态 寄存器. 也 一个 或者
三 总线 写 行动 能 是 使用 至 公布
这 读/重置 command.
如果 这 读/重置 command 是 issued 在 一个
块 擦掉 运作 或者 下列的 一个 程序编制
或者 擦掉 错误 然后 这 记忆 将 引领 upto 10
µs
至 abort. 在 这 abort 时期 非 有效的 数据 能
是 读 从 这 记忆. issuing 一个 读/重置
command 在 一个 块 擦掉 运作 将
leave invalid 数据 在 这 记忆.
自动 选择 command.
这 自动 选择 com-
mand 是 使用 至 读 这 生产者 代号, 这
设备 代号 和 这 块 保护 状态.
三 consecutive 总线 写 行动 是 re-
quired 至 公布 这 自动 选择 command. once
这 自动 选择 command 是 issued 这 记忆
仍然是 在 自动 选择 模式 直到 另一 com-
mand 是 issued.
从 这 自动 选择 模式 这 生产者
代号 能 是 读 使用 一个 总线 读 运作
和 a0 = v
IL
和 a1 = v
IL
. 这 其它 地址 位
将 是 设置 至 也 v
IL
或者 v
IH
. 这 生产者
代号 为 意法半导体 是 0020h.
这 设备 代号 能 是 读 使用 一个 总线 读
运作 和 a0 = v
IH
和 a1 = v
IL
. 这 其它
地址 位 将 是 设置 至 也 v
IL
或者 v
IH
. 这
设备 代号 为 这 m29f400bt 是 00d5h 和 为
这 m29f400bb 是 00d6h.
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