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资料编号:155720
 
资料名称:M29F400BB70N1
 
文件大小: 208.64K
   
说明
 
介绍:
4 Mbit 512Kb x8 or 256Kb x16, Boot Block Single Supply Flash Memory
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
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m29f400bt, m29f400bb
表格 5. 总线 行动, 字节= v
IL
便条: x = v
IL
或者 v
IH
.
表格 6. 总线 行动, 字节= v
IH
便条: x = v
IL
或者 v
IH
.
运作 E G W
地址 输入
dq15a–1, a0-a17
数据 输入/输出
dq14-dq8 dq7-dq0
总线 读
V
IL
V
IL
V
IH
cell 地址 hi-z 数据 输出
总线 写
V
IL
V
IH
V
IL
command 地址 hi-z 数据 输入
输出 使不能运转 X
V
IH
V
IH
X hi-z hi-z
备用物品
V
IH
X X X hi-z hi-z
读 生产者
代号
V
IL
V
IL
V
IH
a0 = v
IL
, a1 = v
IL
, a9 = v
ID
,
其他 v
IL
或者 v
IH
hi-z 20h
读 设备 代号
V
IL
V
IL
V
IH
a0 = v
IH
, a1 = v
IL
, a9 = v
ID
,
其他 v
IL
或者 v
IH
hi-z
d5h (m29f400bt)
d6h (m29f400bb)
运作 E
G W
地址 输入
a0-a17
数据 输入/输出
dq15a–1, dq14-dq0
总线 读
V
IL
V
IL
V
IH
cell 地址 数据 输出
总线 写
V
IL
V
IH
V
IL
command 地址 数据 输入
输出 使不能运转 X
V
IH
V
IH
X hi-z
备用物品
V
IH
X X X hi-z
读 生产者
代号
V
IL
V
IL
V
IH
a0 = v
IL
, a1 = v
IL
, a9 = v
ID
,
其他 v
IL
或者 v
IH
0020h
读 设备 代号
V
IL
V
IL
V
IH
a0 = v
IH
, a1 = v
IL
, a9 = v
ID
,
其他 v
IL
或者 v
IH
00d5h (m29f400bt)
00d6h (m29f400bb)
总线 行动
那里 是 five 标准 总线 行动 那 控制
这 设备. 这些 是 总线 读, 总线 写, 输出-
放 使不能运转, 备用物品 和 自动 备用物品. 看
tables 5 和 6, 总线 行动, 为 一个 summary.
典型地 glitches 的 较少 比 5ns 在 碎片 使能
或者 写 使能 是 ignored 用 这 记忆 和 做
不 影响 总线 行动.
总线 读.
总线 读 行动 读 从 这
记忆 cells, 或者 明确的 寄存器 在 这 com-
mand 接口. 一个 有效的 总线 读 运作 在-
volves 设置 这 desired 地址 在 这 地址
输入, 应用 一个 低 信号, v
IL
, 至 碎片 使能
和 输出 使能 和 keeping 写 使能
高, v
IH
. 这 数据 输入/输出 将 输出 这
值, 看 图示 8, 读 模式 交流 波形,
和 表格 14, 读 交流 特性, 为 详细信息
的 当 这 输出 变为 有效的.
总线 写.
总线 写 行动 写 至 这
command 接口. 一个 有效的 总线 写 运作
begins 用 设置 这 desired 地址 在 这 ad-
dress 输入. 这 地址 输入 是 latched 用
这 command 接口 在 这 下落 边缘 的 碎片
使能 或者 写 使能, whichever occurs last.
这 数据 输入/输出 是 latched 用 这 com-
mand 接口 在 这 rising 边缘 的 碎片 使能
或者 写 使能, whichever occurs 第一. 输出 en-
能 必须 仍然是 高, v
IH
, 在 这 全部的 总线
写 运作. 看 计算数量 9 和 10, 写 交流
波形, 和 tables 15 和 16, 写 交流
特性, 为 详细信息 的 这 定时 需要-
ments.
输出 使不能运转.
这 数据 输入/输出 是 在
这 高 阻抗 状态 当 输出 使能 是
高, v
IH
.
备用物品.
当 碎片 使能 是 高, v
IH
, 这
数据 输入/输出 管脚 是 放置 在 这 高-
阻抗 状态 和 这 供应 电流 是 re-
duced 至 这 备用物品 水平的.
当 碎片 使能 是 在 v
IH
这 供应 电流 是
减少 至 这 ttl 备用物品 供应 电流, i
CC2
.
至 更远 减少 这 供应 电流 至 这 cmos
备用物品 供应 电流, i
CC3
, 碎片 使能 应当
是 使保持 在里面 v
CC
± 0.2v. 为 备用物品 电流
水平 看 表格 13, 直流 特性.
在 程序 或者 擦掉 行动 这 记忆
将 continue 至 使用 这 程序/擦掉 供应
电流, i
CC4
, 为 程序 或者 擦掉 行动 un-
til 这 运作 完成.
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