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资料编号:160066
 
资料名称:BAR81W
 
文件大小: 30.64K
   
说明
 
介绍:
Silicon RF Switching Diode Preliminary data (Design for use in shunt configuration High shunt signal isolation Low shunt insertion loss)
 
 


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dec-20-2002
3
bar81...
二极管 电容
C
T
=

(v
R
)
f
= 参数
0 2 4 6 8 10 12 14 16
V
20
V
R
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
F
1
C
T
1 mhz ... 1.8 ghz
反转 并行的 阻抗
R
P
=
(
V
R
)
f
= 参数
0 2 4 6 8 10 12 14 16
V
20
V
R
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
10
4
10
KOhm
R
p
100 mhz
1 ghz
1.8 ghz
向前 阻抗
r
f
=
(
I
F
)
f
= 100mhz
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
毫安
I
F
-1
10
0
10
1
10
Ohm
r
f
向前 电流
I
F
=
(
V
F
)
T
一个
= 参数
0 0.2 0.4 0.6 0.8
V
1.2
V
F
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
一个
I
F
-40 °c
25 °c
85 °c
125 °c
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