BAR81W_集成电路资料查询网

dec-20-2002
1
bar81...
硅 rf 切换 二极管

设计 为 使用 在 调往 配置 在
高 效能 rf switches

高 调往 信号 分开

低 调往 嵌入 丧失

优化 为 短的 - 打开 transformation
使用

线条
BAR81W

 
类型 包装 配置
L
S
(nh)
标记
BAR81W SOT343 单独的 调往-二极管 0.15* BBs
* 序列 电感 碎片 至 地面
最大 比率
在
T
一个
= 25°c, 除非 否则 指定
参数
标识 值 单位
二极管 反转 电压
V
R
30 V
向前 电流
I
F
100 毫安
总的 电源 消耗
T
s

138°C
P
tot
100 mW
接合面 温度
T
j
150 °C
运行 温度 范围
T
运算
-55 ... 125
存储 温度
T
stg
-55 ... 150
热的 阻抗
参数
标识 值 单位
接合面 - 焊接 要点
1)
R
thJS

120
k/w
1
为 计算 的
R
thJA
请 谈及 至 应用 便条 热的 阻抗

标　题:
内　容:
用户名:

手机号:	(*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)

本平台电子爱好着纯手工中文简译:	截至2020/5/17日,支持英文词汇500个

dec-20-2002 1 bar81... 硅 rf 切换二极管  设计为使用在调往配置在高效能 rf switches  高调往信号分开  低调往嵌入丧失  优化为短的 - 打开 transformation 使用  线条 BAR81W    类型包装配置 L S (nh) 标记 BAR81W SOT343 单独的调往-二极管 0.15* BBs * 序列电感碎片至地面最大比率在 T 一个 = 25°c, 除非否则指定参数标识值单位二极管反转电压 V R 30 V 向前电流 I F 100 毫安总的电源消耗 T s  138°C P tot 100 mW 接合面温度 T j 150 °C 运行温度范围 T 运算 -55 ... 125 存储温度 T stg -55 ... 150 热的阻抗参数标识值单位接合面 - 焊接要点 1) R thJS  120 k/w 1 为计算的 R thJA 请谈及至应用便条热的阻抗

	电话：13410210660 QQ : 84325569
	联系方式： E-mail:CaiZH01@163.com