2004 Jan 26 2
飞利浦 半导体 产品 规格
低-泄漏 二极管 BAS416
特性
•
塑料 smd 包装
•
低 泄漏 电流: 典型值 3 pA
•
切换 时间: 典型值 0.8
µ
s
•
持续的 反转 电压: 最大值 75 V
•
repetitive 顶峰 反转 电压: 最大值 85 V
•
repetitive 顶峰 向前 电流: 最大值 500 毫安.
产品
•
低-泄漏 电流 产品 在 表面 挂载
电路.
描述
外延的, 中等-速 切换 二极管 和 一个 低
泄漏 电流 encapsulated 在 一个 小 sod323 smd
塑料 包装.
固定
管脚 描述
1 cathode
2 anode
图.1 simplified 外形 (sod323) (sc-76) 和
标识.
标记 代号:
d4.
这 标记 柱状 indicates 这 cathode.
handbook, halfpage
12
MAM406
订货 信息
限制的 值
在 一致 和 这 绝对 最大 比率 系统 (iec 60134).
便条
1. 设备 挂载 在 一个 fr4 打印-电路 板.
类型
号码
包装
名字 描述 版本
BAS416
−
塑料 表面 挂载 包装; 2 leads SOD323
标识 参数 情况 最小值 最大值 单位
V
RRM
repetitive 顶峰 反转 电压
−
85 V
V
R
持续的 反转 电压
−
75 V
I
F
持续的 向前 电流 看 图.2
−
200 毫安
I
FRM
repetitive 顶峰 向前 电流
−
500 毫安
I
FSM
非-repetitive 顶峰 向前 电流 正方形的 波; t
j
=25
°
c 较早的 至
surge; 看 图.4
t=1
µ
s
−
4A
t=1ms
−
1A
t=1s
−
0.5 一个
P
tot
总的 电源 消耗 T
amb
=25
°
c; 便条 1
−
250 mW
T
stg
存储 温度
−
65 +150
°
C
T
j
接合面 温度
−
150
°
C