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2004 Jan 26 4
飞利浦 半导体 产品 规格
低-泄漏 二极管 BAS416
graphical 数据
handbook, halfpage
0
I
F
(毫安)
100 200
300
0
100
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T
amb
(
°
c)
MHC323
图.2 最大 容许的 持续的
向前 电流 作 一个 函数 的
包围的 温度.
设备 挂载 在 一个 fr4 打印-电路 板.
handbook, halfpage
0 1.6
300
0
100
200
mlb752 - 1
0.8 1.20.4
I
F
(毫安)
v    (v)
F
(1) (2) (3)
(1) T
j
= 150
°
c; 典型 值.
(2) T
j
=25
°
c; 典型 值.
(3) T
j
=25
°
c; 最大 值.
图.3 向前 电流 作 一个 函数 的
向前 电压.
图.4  最大 容许的 非-repetitive 顶峰 向前 电流 作 一个 函数 的 脉冲波 持续时间.
为基础 在 正方形的 波 电流.
T
j
=25
°
c 较早的 至 surge.
handbook, 全部 pagewidth
MBG704
10
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p
(
µ
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2004 Jan 26 4 飞利浦半导体产品规格低-泄漏二极管 BAS416 graphical 数据 handbook, halfpage 0 I F (毫安) 100 200 300 0 100 200 T amb ( ° c) MHC323 图.2 最大容许的持续的向前电流作一个函数的包围的温度. 设备挂载在一个 fr4 打印-电路板. handbook, halfpage 0 1.6 300 0 100 200 mlb752 - 1 0.8 1.20.4 I F (毫安) v (v) F (1) (2) (3) (1) T j = 150 ° c; 典型值. (2) T j =25 ° c; 典型值. (3) T j =25 ° c; 最大值. 图.3 向前电流作一个函数的向前电压. 图.4 最大容许的非-repetitive 顶峰向前电流作一个函数的脉冲波持续时间. 为基础在正方形的波电流. T j =25 ° c 较早的至 surge. handbook, 全部 pagewidth MBG704 10 t p ( µ s) 1 I FSM (一个) 10 2 10 − 1 10 4 10 2 10 3 10 1

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